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IRL3705N-VB 产品详细

产品简介:

IRL3705N-VB MOSFET 产品简介

IRL3705N-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO-220 封装,设计用于高电压和高电流应用。该 MOSFET 的最大漏源电压 (VDS) 为 60V,栅源电压 (VGS) 为 ±20V,适合用于多种要求严格的电源管理和功率转换应用。IRL3705N-VB 具有较低的栅阈值电压 (Vth),在 1.7V 范围内,能够在低栅电压下实现开关功能。其低导通电阻 (RDS(ON)) 分别为 13mΩ 和 11mΩ(在 VGS 分别为 4.5V 和 10V 时),支持高达 60A 的连续漏极电流。采用的 Trench 技术提高了开关速度和功率效率,适合高功率和高效能的电子设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
IRL3705N-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO-220
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 60A
- **功率耗散**: 94W (最大值)
- **工作温度范围**: -55°C 至 +175°C
- **技术**: 沟槽技术 (Trench)
- **输入电容 (Ciss)**: 4000 pF (典型值)
- **反向恢复时间 (Trr)**: 30 ns

领域和模块应用:

适用领域和模块的应用例子

1. **电源转换器**: IRL3705N-VB 由于其高电流处理能力和低导通电阻,非常适合用于电源转换器和 DC-DC 转换器。这些特性可以提高转换器的效率,减少功耗和发热,从而提升整体系统性能。

2. **电动汽车**: 在电动汽车的驱动系统中,IRL3705N-VB 能够处理高达 60A 的电流,适合用作电机驱动电路的开关元件。这能够确保电动汽车的驱动系统高效稳定地运行,同时降低能量损耗。

3. **电池管理系统**: 在电池管理系统中,IRL3705N-VB 能够有效地控制电池的充电和放电过程。其低导通电阻和高电流能力使得它能够在高负载条件下稳定工作,确保电池的长寿命和安全性。

4. **LED 照明**: 在高功率 LED 照明系统中,该 MOSFET 作为开关元件能够处理大电流,确保 LED 的稳定运行。低导通电阻有助于减少能量损失,提高照明系统的整体效率和可靠性。

IRL3705N-VB 的高电流能力和低导通电阻,使其在电源转换、电动汽车、电池管理和 LED 照明等应用中表现出色,为这些领域的设计提供了高效和可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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