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IRFZ46ZPBF-VB 产品详细

产品简介:

IRFZ46ZPBF-VB MOSFET 产品简介

IRFZ46ZPBF-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO-220。它适用于高效能量开关和功率管理应用,最大漏源电压 (VDS) 为 60V,栅源电压 (VGS) 容许范围为 ±20V。这款 MOSFET 采用先进的沟槽 (Trench) 技术,能够提供非常低的导通电阻,分别为 13mΩ 和 11mΩ(在 VGS 分别为 4.5V 和 10V 时),在高电流下具有低功耗特性。IRFZ46ZPBF-VB 的栅阈值电压 (Vth) 为 1.7V,适合快速开关应用,最大连续漏极电流 (ID) 高达 60A,非常适用于电机驱动、电源管理和高效能转换器等场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
IRFZ46ZPBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO-220
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 60A
- **功率耗散**: 125W (最大值)
- **工作温度范围**: -55°C 至 +175°C
- **技术**: 沟槽技术 (Trench)
- **输入电容 (Ciss)**: 3400 pF (典型值)
- **反向恢复时间 (Trr)**: 72 ns

领域和模块应用:

适用领域和模块的应用例子

1. **电源管理**: IRFZ46ZPBF-VB 以其低导通电阻和高电流承载能力,适用于 DC-DC 转换器和开关电源系统,特别是在服务器电源模块和高效电池管理系统中。它能在能量转换过程中提供高效率,减少功率损耗,提升系统可靠性。

2. **电机控制**: 这款 MOSFET 在电机驱动应用中非常理想,适用于工业电机控制、家用电器以及汽车电机驱动。其高电流承载能力确保了对电机的高效驱动,减少热损耗并提高电机控制的稳定性。

3. **消费电子设备**: 在智能家居设备、电池供电设备和其他便携式电子产品中,IRFZ46ZPBF-VB 可用于高效电池管理和能量开关控制。其快速开关特性和低功耗可以延长设备的电池续航时间,并确保设备的高效运转。

4. **汽车电子**: 由于其在高电流条件下表现出的可靠性和耐高温特性,IRFZ46ZPBF-VB 非常适合在汽车电子中使用,例如汽车的电源控制模块、电池管理系统以及车载照明控制系统。它能够提供精确的功率调节,提升车辆系统的整体能效和稳定性。

IRFZ46ZPBF-VB 具有卓越的电流处理能力、低功耗和多领域适应性,使其在电源管理、电机控制、消费电子和汽车电子等领域中成为理想的选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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