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IRFZ34GPBF-VB 产品详细

产品简介:

IRFZ34GPBF-VB MOSFET 产品简介

**IRFZ34GPBF-VB** 是一款基于 Trench 技术的 N 通道 MOSFET,设计用于高效的电力开关应用。它采用 TO-220 封装,适合通孔安装和良好的散热管理。该 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 60V,栅源电压(VGS)额定值为 ±20V,提供稳定的性能。其门槛电压(Vth)为 1.7V,便于栅极驱动。该 MOSFET 的 RDS(ON) 分别为 28mΩ(VGS=4.5V)和 24mΩ(VGS=10V),确保低导通损耗,支持最大连续漏极电流(ID)为 50A。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A 24mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
IRFZ34GPBF-VB 详细参数说明
- **封装**: TO220
- **配置**: 单一 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 1.7V
- **漏极电流 (ID)**: 50A
- **RDS(ON) (导通电阻)**:
- 28mΩ @ VGS=4.5V
- 24mΩ @ VGS=10V
- **技术**: Trench
- **结对外壳热阻 (RθJC)**: <1.5°C/W
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C

领域和模块应用:

IRFZ34GPBF-VB 的应用实例

**IRFZ34GPBF-VB** MOSFET 在多个领域和模块中都具有广泛应用,特别是在需要高电流处理和高效开关的场景中。以下是一些典型的应用实例:

1. **电源管理和 DC-DC 转换器**: IRFZ34GPBF-VB 适用于电源供应系统中的开关调节器,例如降压和升压转换器。其低 RDS(ON) 使其在高功率转换中具有较低的导通损耗,从而提高系统的整体效率,适用于高效的电源适配器和电力转换模块。

2. **电动机驱动和工业应用**: 该 MOSFET 的高漏极电流能力(50A)使其非常适合驱动大功率电动机,广泛应用于电动机控制电路、工业机器人和自动化系统中,提供稳定的驱动和控制功能。

3. **电池管理系统 (BMS)**: 在电池保护和能量管理系统中,IRFZ34GPBF-VB 能够处理大电流,并确保高效的电池充放电过程。它适用于电动车(EV)和储能系统中的电池保护电路,提供可靠的开关控制。

4. **消费电子产品和家用电器**: 在需要高电流开关的家用电器(如电动工具和电机驱动的设备)中,IRFZ34GPBF-VB 可以用作开关元件,确保设备的高效和可靠运行。

这些特点使 IRFZ34GPBF-VB MOSFET 成为电力控制、能量管理和高功率应用中的重要组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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