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IRFHM831TRPBF-VB 产品详细

产品简介:

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IRFHM831TRPBF-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用DFN8 (3x3)封装,设计用于要求高电流和高效率的功率开关应用。该MOSFET 能够承受高达30V的漏源电压(VDS),支持±20V的栅源电压(VGS)。其开启阈值电压(Vth)为1.7V,漏极电流(ID)最高达到60A。IRFHM831TRPBF-VB 采用先进的Trench技术,具有非常低的导通电阻(RDS(ON) 为5mΩ @ VGS=4.5V 和3.9mΩ @ VGS=10V),在各种高效功率应用中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A 3.9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
详细参数说明:
- **型号**: IRFHM831TRPBF-VB
- **封装类型**: DFN8 (3x3)
- **极性**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3.9mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 60A
- **技术**: Trench(沟槽技术)

领域和模块应用:

应用领域和模块:
1. **高效电源转换器**: IRFHM831TRPBF-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适用于高效电源转换器,如DC-DC转换器。其高效性能有助于减少功率损耗,提高系统整体效率,适合于对功率损耗和热管理有严格要求的应用。

2. **电动汽车电源管理**: 在电动汽车的电源管理和电机驱动系统中,这款MOSFET 的高电流处理能力和低RDS(ON) 有助于优化电池的充放电过程。它可以提高电动汽车的整体能源利用效率,并确保在高负载条件下的稳定运行。

3. **功率放大器**: IRFHM831TRPBF-VB 适用于功率放大器应用,例如音频放大器和RF放大器。其低导通电阻减少了功率损耗,确保了更高的信号传输效率和更佳的音频质量,特别适合于要求高效能和低功耗的场景。

4. **电机驱动控制**: 该MOSFET 也适合用于电机驱动系统,能够处理高电流负载并提供高效的开关操作。它能够高效控制电机的启动、运行和停止,从而提升电机系统的性能和可靠性。

5. **LED驱动电路**: 在LED驱动应用中,IRFHM831TRPBF-VB 的高电流承载能力和低导通电阻能够提高LED驱动电路的能效,适用于高亮度LED照明系统,有助于实现更高的亮度和能效。

IRFHM831TRPBF-VB 的极低导通电阻和高电流处理能力,使其在多个领域的高效功率开关应用中表现出色,包括电源转换、电动汽车、电机驱动、功率放大器以及LED驱动等模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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