产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
|
7mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
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## **详细参数说明:**
- **型号:** IRFH8337TRPBF-VB
- **封装:** DFN8 (5x6)
- **通道配置:** 单N沟道
- **技术:** Trench
- **VDS(漏源电压):** 30V
- **VGS(栅源电压):** ±20V
- **Vth(阈值电压):** 1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻):**
- 7mΩ @ VGS = 10V
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- **ID(最大连续漏电流):** 80A
- **Qg(总栅电荷):** 40nC @ VGS=10V
- **Qgs(栅源电荷):** 15nC
- **Qgd(栅漏电荷):** 18nC
- **栅极驱动电压范围:** ±20V
- **Ptot(总功耗):** 55W
- **上升时间(tr):** 20ns
- **下降时间(tf):** 15ns
- **工作温度范围:** -55°C 至 175°C
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领域和模块应用:
1. **高效DC-DC转换器:**
IRFH8337TRPBF-VB 适用于 **高效DC-DC转换器** 中,其 **7mΩ的低导通电阻** 和 **80A的高电流能力** 可以有效减少功率损耗,提高转换效率,特别是在高负载条件下。适合用于计算机、通信设备和其他高性能电源模块中。
2. **电动汽车充电系统:**
在 **电动汽车充电系统** 中,该MOSFET 的 **30V耐压能力** 和 **低导通损耗** 可以有效地用于电池充电管理和功率转换,提升充电效率和系统的稳定性。
3. **电池管理系统(BMS):**
IRFH8337TRPBF-VB 的 **80A电流处理能力** 和 **低导通电阻** 使其非常适合在 **电池管理系统(BMS)** 中使用,尤其在电池保护和功率开关控制中,能够提高系统的整体性能和可靠性。
4. **消费电子产品:**
在 **消费电子产品** 中,如 **智能手机** 和 **平板电脑**,该MOSFET 的低导通电阻和高电流支持有助于提升电池续航和充电效率,同时减少热量产生,确保设备的长期可靠运行。
5. **开关电源模块:**
IRFH8337TRPBF-VB 适用于 **开关电源模块**,其 **低导通电阻** 和 **高电流能力** 可以在开关电源设计中提供高效的功率转换,特别适合用于高性能计算设备和大功率电源管理系统中。
6. **负载开关和电源管理:**
该MOSFET 在 **负载开关和电源管理** 应用中表现优异,其高电流处理能力和低导通电阻可以帮助优化负载开关效率,提升电源管理系统的性能和可靠性。
总结来说,IRFH8337TRPBF-VB MOSFET 由于其 **高电流处理能力、低导通电阻** 和 **Trench技术**,在 **高效DC-DC转换器、电动汽车充电系统、电池管理系统、消费电子产品、开关电源模块** 和 **负载开关与电源管理** 等领域展现了广泛的应用潜力。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性