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IRFH8324TRPBF-VB 产品详细

产品简介:

产品简介 - IRFH8324TRPBF-VB MOSFET

IRFH8324TRPBF-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用DFN8 (5x6)封装,特别设计用于需要高电流处理和低功耗的应用。其最大漏极-源极电压为30V,漏极电流高达120A。这款MOSFET在VGS为10V时具有极低的导通电阻3mΩ,确保在高电流条件下的高效性能。IRFH8324TRPBF-VB采用Trench技术,提供优越的开关性能和功耗控制,非常适合用于高功率负载开关和电源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明

- **型号**: IRFH8324TRPBF-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **封装类型**: DFN8 (5x6),具有高密度封装和优秀的热管理能力。

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **高效电源转换和管理**:
IRFH8324TRPBF-VB特别适合于高效的电源转换器和管理模块,如DC-DC转换器和AC-DC电源。其极低的导通电阻和高电流能力使其能够有效地减少功率损耗,提升电源转换效率。广泛应用于计算机、电信设备和数据中心的电源管理系统中,提供可靠的电力转换和稳定的性能。

2. **负载开关和电动机驱动**:
在负载开关和电动机驱动应用中,IRFH8324TRPBF-VB由于其高电流处理能力和低导通电阻,是理想的开关元件。它能够高效处理高电流负载,适用于工业自动化、家用电器和电动工具等领域,确保平稳、稳定的开关操作。

3. **电动汽车和电池管理系统**:
该MOSFET的高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于电动汽车的电池管理系统(BMS)和电动驱动模块。IRFH8324TRPBF-VB在电池充放电过程中提供高效的能量转换和管理,适用于电动汽车、电池储能系统以及其他高功率电池应用,提升系统的可靠性和效率。

4. **可再生能源系统**:
在太阳能逆变器和其他可再生能源系统中,IRFH8324TRPBF-VB能够高效处理电力转换和分配。其低导通电阻和高电流处理能力确保了能源的高效利用,适合用于太阳能电池板和能源管理系统中,提高系统的整体效率。 结论

IRFH8324TRPBF-VB凭借其先进的Trench技术、DFN8 (5x6)封装和极低的导通电阻,适合各种高功率和高效率的应用。在电源转换、负载开关、电动汽车和可再生能源系统中展现了卓越的性能,是一个高效、可靠的MOSFET解决方案。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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