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IRFH8318TRPBF-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

IRFH8318TRPBF-VB 是一款高性能单 N 沟道功率 MOSFET,封装形式为 DFN8 (5x6)。该 MOSFET 设计用于高电流和高效率应用,具有 30V 的漏源电压 (VDS) 和 120A 的漏极电流 (ID)。其低导通电阻和高电流承载能力使其在各种功率转换和电源管理应用中表现出色。IRFH8318TRPBF-VB 采用先进的沟槽技术 (Trench Technology),有效减少开关损耗和导通损耗,从而提升整体系统效率。其阈值电压 (Vth) 为 1.7V,使其适用于低栅极驱动电压的电路设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
二、详细参数说明

- **封装类型**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单 N 沟道
- **VDS (漏源电压)**: 30V
- **VGS (栅源电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: 1.7V
- **RDS(ON) (导通电阻)**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: 120A
- **技术**: Trench 沟槽技术

IRFH8318TRPBF-VB 的低 RDS(ON) 和高电流处理能力使其在高功率应用中提供优异的性能,能够在高电流条件下保持高效能和稳定性。

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

1. **高效电源转换器**
IRFH8318TRPBF-VB 是高效电源转换器(如直流-直流 (DC-DC) 转换器和交流-直流 (AC-DC) 电源)的理想选择。其低导通电阻帮助减少能量损耗,提高整体电源转换效率,非常适合应用于计算机电源、服务器电源模块和电池充电器中。

2. **电动车电池管理系统**
在电动车和其他电池管理系统中,IRFH8318TRPBF-VB 的高电流承载能力和低导通损耗使其适合用于电池保护和功率管理。它能够提供稳定的电流控制,提升电池充电和放电的效率,确保电池系统的安全性和可靠性。

3. **工业电机控制**
IRFH8318TRPBF-VB 在工业电机控制应用中表现优异,特别是在需要处理大电流的变频驱动器和伺服系统中。其低 RDS(ON) 值和高电流处理能力能够提高电机控制系统的效率和可靠性,适用于各种高性能电机驱动场合。

4. **通信设备电源管理**
对于通信设备的电源管理模块,如无线基站和路由器,IRFH8318TRPBF-VB 提供了高效能的电源开关解决方案。其低导通电阻和高电流承载能力能够提升电源系统的稳定性和效率,确保设备在高负载下的稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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