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IRFH5301TRPBF-VB 产品详细

产品简介:

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IRFH5301TRPBF-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用DFN8 (5x6)封装,专为高效功率开关应用而设计。它具有极低的导通电阻和极高的电流处理能力。该MOSFET 可以承受最高30V的漏源电压(VDS),支持±20V的栅源电压(VGS)。其开启阈值电压(Vth)为1.7V,漏极电流(ID)高达160A。通过采用Trench技术,该MOSFET 在高电流和高效能的场景中表现出色,尤其适合需要极低导通电阻的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A 1.8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明:
- **型号**: IRFH5301TRPBF-VB
- **封装类型**: DFN8 (5x6)
- **极性**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- 1.8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 160A
- **技术**: Trench(沟槽技术)

领域和模块应用:

应用领域和模块:
1. **电源管理系统**: IRFH5301TRPBF-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适用于高效电源管理系统。它可以用于DC-DC转换器和高效电源模块中,提升电源转换效率,减少功率损耗,并支持高电流负载的稳定运行。

2. **电动汽车驱动**: 在电动汽车的驱动系统中,这款MOSFET 可以作为高电流开关元件,管理电池的充放电过程。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高电动汽车的能源效率和系统稳定性。

3. **功率放大器**: 在高功率放大器应用中,如音频放大器或RF放大器,IRFH5301TRPBF-VB 可以提供稳定的高电流输出。其低导通电阻能够减少功率损耗,提高信号传输效率和放大器的总体性能。

4. **电机控制系统**: 该MOSFET 适合用于高效电机控制系统,能够处理高电流和高频率的开关操作。它在电机驱动模块中能够有效控制电机的启动、运行和停止,提高电机的性能和寿命。

5. **LED驱动电路**: IRFH5301TRPBF-VB 也适用于高效LED驱动电路。在LED照明应用中,它的低RDS(ON) 提供了高效的功率转换,确保LED系统在高电流条件下稳定运行,增强了系统的亮度和能效。

IRFH5301TRPBF-VB 凭借其极低的导通电阻和高电流处理能力,适用于多种高效功率管理和开关应用,包括电源管理系统、电动汽车驱动、功率放大器、电机控制和LED驱动等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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