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IRFH5255TR2PBF-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

IRFH5255TR2PBF-VB 是一款高性能的单 N 沟道功率 MOSFET,封装形式为 DFN8 (5x6),专为高电流和高效率应用设计。其漏源电压 (VDS) 为 30V,最大漏极电流 (ID) 可达 120A,能够处理大电流且保持较低的导通电阻。通过先进的沟槽技术 (Trench Technology),IRFH5255TR2PBF-VB 提供了优异的开关性能和低导通损耗,适合用于高功率密度和高效率的应用场景。其阈值电压 (Vth) 为 1.7V,适用于低栅极驱动电压的电路设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
二、详细参数说明

- **封装类型**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单 N 沟道
- **VDS (漏源电压)**: 30V
- **VGS (栅源电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: 1.7V
- **RDS(ON) (导通电阻)**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: 120A
- **技术**: Trench 沟槽技术

该 MOSFET 的低 RDS(ON) 值和高电流能力使其在高功率应用中具备卓越的性能表现,能够在高电流条件下保持高效的功率转换。

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

1. **高效电源管理**
IRFH5255TR2PBF-VB 是高效电源管理模块的理想选择,特别是直流-直流 (DC-DC) 转换器和电源分配系统。其低导通电阻和高电流承载能力能够显著提高电源转换效率,减少能量损失,适用于计算机电源、电池充电器等需要高效电源转换的应用。

2. **电动车电池管理系统**
在电动车和混合动力汽车的电池管理系统中,该 MOSFET 的高电流处理能力和低导通损耗可以有效提高电池充电和放电过程中的效率,确保电池的安全性和性能。它适用于电池保护和电机驱动系统中的高功率开关和控制。

3. **工业电机控制**
IRFH5255TR2PBF-VB 在工业电机控制模块中也表现出色,尤其是在需要高电流和高效率的应用场合,如变频驱动器和伺服控制系统。其高电流能力和低导通电阻使其适用于各种高性能电机控制系统,提高电机驱动的效率和可靠性。

4. **通信设备电源**
对于通信设备中的电源管理模块,如无线基站和路由器,IRFH5255TR2PBF-VB 的低 RDS(ON) 和高电流承载能力有助于提升电源系统的稳定性和效率。它能够在高负载条件下保持可靠的电源供应,确保通信设备的稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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