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IRFH5250TRPBF-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:IRFH5250TRPBF-VB

IRFH5250TRPBF-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用DFN8(5x6)封装和先进的Trench技术。它设计用于高电流和高功率的应用,最大漏源极电压(VDS)为30V,能够在极端条件下提供稳定可靠的性能。该MOSFET 的导通电阻非常低,VGS = 4.5V 时为1.8mΩ,VGS = 10V 时为1.2mΩ,确保在高电流应用中具有极低的功率损耗。IRFH5250TRPBF-VB 支持高达128A 的连续漏极电流,非常适合对功率密度和热管理有严格要求的高效能系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 128A 1.2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 128A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 128A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明:
1. **封装类型**:DFN8 (5x6)
2. **配置**:单N沟道MOSFET
3. **漏源极电压(VDS)**:30V
4. **栅源极电压(VGS)**:±20V
5. **阈值电压(Vth)**:1.7V
6. **导通电阻(RDS(ON))**:
- 1.8mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.2mΩ @ VGS = 10V
7. **连续漏极电流(ID)**:128A
8. **工作技术**:Trench技术
9. **功率耗散(Pd)**:根据具体应用场景进行计算
10. **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
11. **总栅极电荷(Qg)**:根据驱动条件确定
12. **输入电容(Ciss)**:用于优化开关速度的参数

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. **高效DC-DC转换器**:由于IRFH5250TRPBF-VB 具有极低的导通电阻和高电流处理能力,它非常适合用于高效能的DC-DC转换器。此MOSFET 能够在高负载条件下维持高效率,应用于高功率电源供应、数据中心电源和工业电源系统中。

2. **电动汽车电池管理系统**:在电动汽车中,该MOSFET 可以处理电池充放电回路中的高电流,提供稳定的性能并降低功率损耗。其低RDS(ON) 特性有助于提升电池管理系统的效率和可靠性。

3. **电机驱动系统**:IRFH5250TRPBF-VB 适用于各种电机驱动应用,如工业自动化、电动工具和风扇控制。其高电流能力和低导通电阻能够有效提升电机控制系统的效率,减少热量产生。

4. **开关电源(SMPS)**:在开关电源模块中,IRFH5250TRPBF-VB 的高电流处理能力和低导通电阻能够减少开关损耗,提升电源转换效率,适用于消费电子产品、通信设备和电力适配器等领域。

5. **太阳能逆变器**:此MOSFET 也适合用于光伏逆变器中,尤其是在需要高电流和高效率的应用场合。其低RDS(ON) 特性可以帮助提高太阳能发电系统的整体性能,优化直流电到交流电的转换过程。

IRFH5250TRPBF-VB 的优越性能使其成为对功率密度和效率有严格要求的高电流应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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