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IRFH3707TR2PBF-VB 产品详细

产品简介:

产品简介 - IRFH3707TR2PBF-VB MOSFET

IRFH3707TR2PBF-VB是一款单N沟道MOSFET,采用紧凑的DFN8(3x3)封装,适用于高效率电源管理和开关应用。该MOSFET的最大漏极-源极电压为30V,具有高达30A的电流处理能力。其导通电阻在VGS为10V时为13mΩ,能够有效降低导通损耗。采用Trench技术,IRFH3707TR2PBF-VB拥有出色的低RDS(ON)性能和高开关速度,适合用于高效的低压电源转换和负载开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A 13mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
详细参数说明

- **型号**: IRFH3707TR2PBF-VB
- **封装**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **封装类型**: DFN8 (3x3),适用于高密度表面贴装应用,具有优良的热性能。

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **电源管理和转换**:
IRFH3707TR2PBF-VB非常适合用于高效率的直流-直流(DC-DC)转换器和电源调节模块。在这些应用中,其低导通电阻有助于最大限度地降低功率损耗,提高整体系统效率,尤其是在笔记本电脑、平板电脑、手机等便携式设备中的低电压电源管理中。

2. **负载开关应用**:
由于其30A的电流处理能力和低导通电阻,该MOSFET可用于电源开关和负载开关应用,特别是在要求高开关速度和低功耗的环境中。它的DFN封装使其适合高密度PCB设计,广泛应用于服务器、电信设备和消费类电子产品的电源控制中。

3. **电池管理系统 (BMS)**:
IRFH3707TR2PBF-VB的特性使其能够在电池管理系统中提供高效的电流控制和切换能力。在电动工具、无人机和可穿戴设备等应用中,它可以用来控制电池充放电,确保系统的安全运行和电源稳定性。

4. **低电压马达驱动**:
在小型直流电动机控制应用中,IRFH3707TR2PBF-VB能够作为开关组件来控制电动机的启动、停止和速度调整。其低导通电阻和较快的开关速度使其在电动机控制模块中表现良好,尤其是在智能家居设备和自动化设备中。

该型号MOSFET凭借其紧凑封装和高效性能,适用于需要节省空间且要求高效能的各种电子产品和模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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