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IRFD9024PBF-VB 产品详细

产品简介:

一、IRFD9024PBF-VB产品简介

IRFD9024PBF-VB是一款高性能P沟道功率MOSFET,采用DIP8封装,专为负电压应用设计。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为-60V,栅源电压(VGS)可承受±20V。IRFD9024PBF-VB的栅极阈值电压(Vth)为-2V,使其能够在较低的栅极驱动电压下启动。在10V的栅极驱动电压下,该MOSFET的导通电阻(RDS(ON))为100mΩ,能够承受最大-3A的漏极电流。采用Trench技术,IRFD9024PBF-VB提供了优异的开关性能和低导通损耗,适合各种负电压开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Single-P -60V -2V -3A 100mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DIP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DIP8 Single-P -60V -2V -3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DIP8 Single-P -60V -2V -3A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DIP8 Single-P
二、IRFD9024PBF-VB详细参数说明

- **封装类型**: DIP8
- **配置**: 单P沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -60V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -3A
- **工艺技术**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C
- **最大耗散功率**: 1.6W

领域和模块应用:

三、IRFD9024PBF-VB的应用领域与模块

1. **负电压开关电路**: IRFD9024PBF-VB专为负电压环境设计,适合用于负电压开关应用。例如,在需要负电压控制的开关电源和DC-DC转换器中,能够高效地进行开关操作。

2. **逆变器和电源管理**: 在逆变器和电源管理系统中,IRFD9024PBF-VB能够有效处理负电压应用,尤其是在需要负电压转换的电源模块中,提供稳定的开关性能。

3. **电池管理系统**: 对于负电压电池系统,IRFD9024PBF-VB能够有效地控制充放电过程,保护电池并提高系统效率,适用于需要负电压控制的电池管理应用。

4. **负电压负载控制**: 在一些负电压负载控制应用中,如负电压驱动的LED照明或其他负电压负载,IRFD9024PBF-VB能够提供稳定的开关性能,确保负载的可靠运行。

5. **负电压保护电路**: 在需要负电压保护的电路中,IRFD9024PBF-VB可以用作保护元件,防止负电压对电路组件造成损坏,提升电路的可靠性和稳定性。

IRFD9024PBF-VB凭借其适合负电压应用的特性和优秀的开关性能,在负电压环境下的各种电子应用中发挥重要作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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