推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

IRFD014PBF-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:
IRFD014PBF-VB 是一款高性能单通道N型MOSFET,采用DIP8封装,专为中等电压和电流应用设计。它的漏源电压(VDS)为60V,栅源电压(VGS)为±20V,适合在中等电压环境中稳定工作。该MOSFET使用Trench技术,提供了低导通电阻和较高的电流处理能力,非常适合用于各种开关和功率管理应用。IRFD014PBF-VB 的低导通电阻和宽泛的开启阈值电压使其在中等电流和电压的应用中表现优异。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Single-N 60V 1~3V 2.5A 100mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DIP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DIP8 Single-N 60V 1~3V 2.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DIP8 Single-N 60V 1~3V 2.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DIP8 Single-N
详细参数说明:
- **型号**: IRFD014PBF-VB
- **封装类型**: DIP8
- **极性**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压(Vth)**: 1V ~ 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 120mΩ @ VGS=4.5V
- 100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 2.5A
- **技术**: Trench(沟槽技术)

领域和模块应用:

应用领域和模块:
1. **开关电源**: IRFD014PBF-VB 由于其适中的漏源电压和低导通电阻,非常适用于开关电源(SMPS)应用。它可以作为开关元件,处理电源模块中的中等电流,提供高效能量转换和可靠性。

2. **低功率电机控制**: 在需要中等电流和电压控制的电机驱动系统中,如小型工业电机或家用电机,IRFD014PBF-VB 是理想的选择。它能够高效控制电机的启停和速度调节,确保系统的平稳运行。

3. **电池管理系统**: 该MOSFET 适用于电池管理系统中,例如在电池充电器和电池保护电路中,提供对电池的高效开关控制。其低导通电阻帮助减少功耗,提升电池系统的总体效率。

4. **低功率DC-DC转换器**: 在低功率DC-DC转换器应用中,IRFD014PBF-VB 可以作为开关元件进行电压转换。它的低RDS(ON)和宽开启阈值电压使其在这些转换器中表现优异,提供稳定的电流传输和转换效率。

IRFD014PBF-VB 的设计使其在中等电压和电流应用中表现出色,适合用于开关电源、电机控制、电池管理以及DC-DC转换器等多种应用领域,确保稳定的性能和高效的能量管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询