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IRFBC40PBF-VB 产品详细

产品简介:

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IRFBC40PBF-VB 是一款高电压N型MOSFET,采用TO220封装,专为高电压应用设计。其漏源电压(VDS)额定值为600V,栅源电压(VGS)为±30V,适合在高电压环境中稳定运行。MOSFET采用Plannar技术,具备相对较高的导通电阻(RDS(ON)),适合用于需要高电压耐受能力的开关和功率管理应用。尽管其导通电阻较高,但其稳定的性能和高电压能力使其在特定应用中仍然表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:
- **型号**: IRFBC40PBF-VB
- **封装类型**: TO220
- **极性**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 600V
- **栅源电压(VGS)**: ±30V
- **开启阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS=4.5V
- 780mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 8A
- **技术**: Plannar(平面技术)

领域和模块应用:

应用领域和模块:
1. **高电压开关**: IRFBC40PBF-VB 由于其600V的高漏源电压,非常适合用于高电压开关应用。例如,它可以在高压直流电源的开关电路中用作开关元件,处理高电压开关操作。

2. **功率供应系统**: 在需要高电压耐受的功率供应系统中,如高压电源和变压器驱动电路,IRFBC40PBF-VB 可以有效地处理高电压和功率,确保系统的可靠性和稳定性。

3. **逆变器**: 该MOSFET 可以用于太阳能逆变器和其他类型的电源逆变器中,这些应用通常需要处理高电压和高功率。尽管其导通电阻较高,但其高电压能力和稳定性使其适合在这些领域中使用。

4. **电机驱动**: IRFBC40PBF-VB 也可以用于需要高电压处理的电机驱动系统中,尤其是那些运行在高电压环境下的工业电机和电动工具。它的高耐压能力能够满足这些应用的需求,确保电机驱动的稳定性和可靠性。

尽管 IRFBC40PBF-VB 的导通电阻相对较高,但其600V的高漏源电压和±30V的栅源电压范围使其在高电压应用中仍然表现出色,特别适合用于需要高电压处理的开关和功率管理系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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