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IRFB4610PBF-VB 产品详细

产品简介:

IRFB4610PBF-VB MOSFET 产品简介:

IRFB4610PBF-VB 是一款高性能的N沟MOSFET,最大漏源电压(VDS)为100V,适用于高电压和高电流的电子应用。它采用沟槽技术,能够提供较低的导通电阻,从而提高整体系统的效率和性能。该MOSFET 的阈值电压(Vth)为2.5V,低导通电阻(RDS(ON))值在4.5V和10V栅电压下分别为20mΩ和9mΩ,使其能够在各种应用场景中高效地运行。封装为TO-220,适合于高功率散热要求的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:

- **封装**: TO-220,适用于高功率模块的通孔安装,具有良好的散热性能。
- **配置**: 单极N沟MOSFET。
- **VDS(漏源电压)**: 100V,适合于处理高电压应用。
- **VGS(栅源电压)**: ±20V,确保MOSFET在各种工作条件下的稳定性。
- **Vth(阈值电压)**: 2.5V,定义了MOSFET导通所需的最小栅电压。
- **RDS(ON)(导通电阻)**:
- 20mΩ @ VGS=4.5V,适用于低栅电压下的应用。
- 9mΩ @ VGS=10V,适用于高栅电压下的高效运行。
- **ID(连续漏电流)**: 100A,能够处理较大的电流负载。
- **技术**: 沟槽技术,优化了MOSFET的开关性能和导通电阻。

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领域和模块应用:

应用实例:

1. **电源转换器**:
IRFB4610PBF-VB MOSFET 非常适合用于 **开关电源(SMPS)**。其低导通电阻和高电流承载能力可以显著降低电源转换过程中的能量损失,提高效率,适用于各种商业和工业电源模块。

2. **电动汽车(EV)驱动系统**:
在 **电动汽车的电动机控制系统** 中,这款MOSFET 可以用于电动机驱动电路。由于其高电流承载能力和低导通电阻,它能高效地处理电动机的功率需求,提升电动汽车的动力性能和续航能力。

3. **DC-DC 转换器**:
IRFB4610PBF-VB 也非常适合用于 **高功率DC-DC转换器**。在这些应用中,该MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻可以帮助提升转换效率,减少能量损失,广泛应用于汽车电子、工业电源和通信设备中。

4. **电池管理系统**:
在 **电池管理系统** 中,IRFB4610PBF-VB 可以用于电池的充放电控制。其稳定的开关性能和强大的电流处理能力确保了电池系统的高效运行和安全性,特别适用于大电流的锂电池管理系统。

5. **太阳能逆变器**:
由于其高电压和电流处理能力,这款MOSFET 适合用于 **太阳能逆变器** 的功率开关。它能够有效地将太阳能电池产生的直流电转换为交流电,同时优化系统效率,广泛应用于住宅和商业太阳能发电系统。

IRFB4610PBF-VB MOSFET 在这些高功率和高效率的应用中表现出色,成为多种电子系统中高要求应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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