推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

IRFB4310PBF-VB 产品详细

产品简介:

IRFB4310PBF-VB MOSFET 产品简介:

IRFB4310PBF-VB 是一款高性能的N沟MOSFET,具有100V的最大漏源电压(VDS),适用于高电压和高电流的功率电子应用。其采用沟槽技术,提供低RDS(ON)值以确保高效率和最低的导通损耗。该MOSFET的连续漏电流(ID)可达到120A,适合于需要处理较大电流的场合。封装为TO-220,适用于高功率应用中的散热和空间要求。

---

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:

- **封装**: TO-220,适合于各种高功率模块的通孔安装,提供良好的散热性能。
- **配置**: 单极N沟MOSFET。
- **VDS(漏源电压)**: 100V,适合处理相对较高的电压应用。
- **VGS(栅源电压)**: ±20V,确保在各种工作条件下栅电压的稳定性。
- **Vth(阈值电压)**: 3V,定义了MOSFET开始导通的最小栅电压。
- **RDS(ON)(导通电阻)**: 5mΩ @ VGS=10V,提供低导通电阻,减少功率损耗,提高效率。
- **ID(连续漏电流)**: 120A,能够处理较大电流负载。
- **技术**: 沟槽技术,优化了导通电阻和开关性能,适用于高效能应用。

---

领域和模块应用:

应用实例:

1. **电源转换器**:
IRFB4310PBF-VB MOSFET 适用于 **开关电源(SMPS)**,其低RDS(ON)值和高电流处理能力能够减少电源转换过程中的功率损耗,从而提升整体效率,适用于各类工业和消费电子电源模块。

2. **电动汽车(EV)驱动系统**:
在 **电动汽车的电动机驱动系统** 中,这款MOSFET可以用于电动机的控制和功率切换。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够高效地处理电动机的驱动功率,提升车辆的动力性能和续航能力。

3. **DC-DC 转换器**:
该MOSFET也非常适合用于 **高功率DC-DC转换器**。在这些应用中,IRFB4310PBF-VB 的高电流承载能力和低导通电阻帮助提高转换效率,减少能量损失,广泛应用于汽车电子、工业电源以及通信设备中。

4. **电池管理系统**:
在 **电池管理系统** 中,IRFB4310PBF-VB 可以用于电池的充放电控制。其强大的电流处理能力和稳定的开关性能有助于确保电池系统的高效运行和安全性,尤其适用于高电流的锂电池管理系统。

5. **太阳能逆变器**:
由于其高电压和电流处理能力,这款MOSFET 适合用于 **太阳能逆变器** 中的功率开关。它能够有效地转换太阳能电池产生的直流电为交流电,同时优化效率,适用于住宅和商业太阳能发电系统。

IRFB4310PBF-VB MOSFET 在这些高功率和高效率的应用中展现了其优异的性能,成为多种高要求电子系统的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询