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IRFB42N20DPBF-VB 产品详细

产品简介:

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IRFB42N20DPBF-VB 是一款高性能单通道N型MOSFET,采用TO220封装,设计用于高电压、高电流的开关和功率管理应用。它的漏源电压(VDS)额定值为200V,栅源电压(VGS)为±20V,具有优异的导通电阻(RDS(ON))和良好的开关特性,采用Trench技术制造,确保高效能量传输和可靠的操作。适合用于各种高功率应用中,如电源转换、电机控制及能源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A 46mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:
- **型号**: IRFB42N20DPBF-VB
- **封装类型**: TO220
- **极性**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 200V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压(Vth)**: 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 46mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 50A
- **技术**: Trench(沟槽技术)

领域和模块应用:

应用领域和模块:
1. **电源转换器**: IRFB42N20DPBF-VB 在DC-DC转换器和AC-DC电源模块中表现优异,适用于高效率电源转换的应用场景,例如高性能计算设备的电源供应和电源适配器。

2. **电机控制**: 由于其50A的高电流承载能力,这款MOSFET适用于电机驱动应用,如工业自动化设备中的电机控制模块,提供稳定的电流控制和高效的开关性能。

3. **开关电源(SMPS)**: 在开关模式电源中,IRFB42N20DPBF-VB 通过其低导通电阻和高电压耐受能力,可以有效减少能量损失,适用于需要高功率转换和高效率的场合,如服务器电源和通信设备的电源模块。

4. **太阳能逆变器**: 在太阳能发电系统中,这款MOSFET可以用于太阳能逆变器中,控制逆变器的功率传输,提升系统的效率和可靠性。

IRFB42N20DPBF-VB 的高电压和高电流处理能力使其在多个高功率应用领域中表现出色,广泛用于电源管理、电机控制和能源转换系统等重要模块中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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