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IRFB3507PBF-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**IRFB3507PBF-VB** 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为要求高电流和低导通电阻的应用而设计。其关键特点包括80V的漏源电压(VDS),最大20V的栅源电压(VGS),以及低至7mΩ的导通电阻(RDS(ON)),使其在高效能功率开关和电源管理应用中表现卓越。此MOSFET的技术基于先进的Trench工艺,提供了极佳的开关性能和高温稳定性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: IRFB3507PBF-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 80V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**: 100A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块举例

1. **电源管理**: 在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,IRFB3507PBF-VB因其低RDS(ON)和高电流承载能力,能够显著提高能效和减少功耗。它适用于需要高开关频率和高负载能力的电源模块,提供稳定的电流转换和电源保护。

2. **电动汽车**: 在电动汽车的驱动系统中,IRFB3507PBF-VB的高电流能力使其适合用作电机驱动和电池管理系统的开关元件。其低导通电阻帮助提升整体系统效率并减少热量产生,延长电池和电机的使用寿命。

3. **电池充电器**: 在智能电池充电器中,该MOSFET用于实现高效的开关控制。由于其低RDS(ON),它能够有效地管理电池充电过程中的电流流动,减少功耗和热量,提高充电效率和设备安全性。

4. **高频开关电路**: IRFB3507PBF-VB在高频开关应用中表现出色,适用于需要快速开关和高电流负载的场合,如RF功率放大器和高频电源电路。其低导通电阻和高开关速度有助于优化整体系统性能。

这些领域和模块中使用IRFB3507PBF-VB,能够充分发挥其在高电流处理和低功耗操作中的优势,提升系统的效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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