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IRFB260NPBF-VB 产品详细

产品简介:

IRFB260NPBF-VB 产品简介

IRFB260NPBF-VB 是一款高性能N沟道MOSFET,专为处理中高电压和高电流应用而设计。它采用TO220封装,具备良好的热管理特性,使其适合在高功率环境下使用。该MOSFET 具有200V的漏源电压(VDS)额定值,能够在高电压下稳定工作。其栅源电压(VGS)范围为±20V,栅极阈值电压(Vth)为3V,这意味着它能在较低的栅电压下有效导通。导通电阻(RDS(ON))在栅电压为10V时为46mΩ,有助于降低功耗和提高开关效率。最大漏极电流为50A,使其适用于处理大电流的应用。IRFB260NPBF-VB 采用Trench技术,优化了导通电阻和开关性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A 46mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
IRFB260NPBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **通道配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 200V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压(Vth)**: 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 46mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 50A
- **功率耗散**: 94W(最大)
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用:

IRFB260NPBF-VB 适用领域与应用模块

1. **电源开关**:
IRFB260NPBF-VB 非常适合用于电源开关应用,例如DC-DC转换器和电源管理模块。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高电流电源开关中表现出色,能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动**:
在电机驱动应用中,如电动汽车、电机控制器和工业电机驱动,IRFB260NPBF-VB 能够处理较高的电流需求,并提供稳定的电流控制。其优异的开关性能有助于提高电机的运行效率和可靠性。

3. **功率放大器**:
在功率放大器应用中,例如音频放大器和射频放大器,IRFB260NPBF-VB 能够处理高电流和高电压需求,确保功率放大器的高效运行。其低导通电阻有助于提高功率放大器的整体性能。

4. **高功率开关**:
IRFB260NPBF-VB 适用于各种高功率开关应用,如电源保护和电力电子设备。它能够处理高电压和大电流负载,确保开关操作的稳定性和可靠性。

5. **电池管理系统**:
在电池管理系统中,例如电池保护电路和充电控制,IRFB260NPBF-VB 能够处理高电流需求,并提供可靠的开关控制。这有助于确保电池的安全性和高效充电。

IRFB260NPBF-VB 的高电压和高电流处理能力,以及低导通电阻,使其在电源开关、电机驱动、功率放大器、高功率开关和电池管理等领域中成为一个理想的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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