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IRFB23N15DPBF-VB 产品详细

产品简介:

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**IRFB23N15DPBF-VB** 是一款高性能 N 型 MOSFET,采用 TO220 封装。它利用先进的 Trench 技术设计,具有优异的导通性能和高耐压特性。该 MOSFET 支持最高 150V 的漏源电压和 20A 的最大漏电流,非常适合用于高电压和高电流的电源管理和开关应用。其较低的导通阻抗和适中的阈值电压,使其在各种电源模块和负载控制中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 150V 2.5V 20A 75mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 150V 2.5V 20A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 150V 2.5V 20A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: IRFB23N15DPBF-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 型通道
- **漏源电压 (V_DS)**: 150V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 2.5V
- **导通阻抗 (R_DS(ON))**:
- @ V_GS = 10V: 75mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**: 20A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **电源管理**:
IRFB23N15DPBF-VB 在电源管理系统中尤为重要,特别是在高电压 DC-DC 转换器和电源模块中。其高耐压和低导通阻抗使其能够有效地控制电源的转换过程,从而提高转换效率并降低功耗。

2. **负载开关**:
该 MOSFET 适用于各种负载开关应用,其高电流处理能力和耐压特性使其能够在负载开关电路中可靠地工作,保护电路免受过流和电压波动的影响。

3. **功率放大器**:
IRFB23N15DPBF-VB 在功率放大器应用中表现良好。其高耐压和低导通阻抗确保了信号的有效放大,并能在高功率条件下稳定运行,适合用于音频放大器和射频放大器等高功率应用。

4. **电动机驱动**:
在电动机驱动系统中,该 MOSFET 可用于电动机控制器和驱动器。其高电流处理能力确保了电动机的平稳启动和运行,特别是在高电压环境下表现出色。

5. **电源保护**:
IRFB23N15DPBF-VB 还适合用于电源保护电路,如过压和过流保护。其高耐压特性使其能够处理电源异常情况,保护电路和设备免受损坏。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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