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IRF9Z20PBF-VB 产品详细

产品简介:

IRF9Z20PBF-VB MOSFET 产品简介

IRF9Z20PBF-VB 是一款高性能单P沟道功率MOSFET,采用TO220封装,专为需要高电流和高电压的开关应用设计。该MOSFET 的漏源极电压(VDS)为-60V,适合在负电压环境中稳定工作。其栅源极电压(VGS)范围为±20V,开启阈值电压(Vth)为-1.7V,确保在较低栅极电压下也能有效开启。IRF9Z20PBF-VB 的导通电阻(RDS(ON))在VGS为10V时为62mΩ,在4.5V时为74mΩ,能够处理高达-40A的漏极电流。采用Trench技术工艺,使其具有优良的电气性能和低功耗特性,适用于各种高效能开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A 62mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-P
IRF9Z20PBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: -60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 74mΩ @ VGS = 4.5V
- 62mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -40A
- **技术类型**: Trench技术

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源开关**:IRF9Z20PBF-VB 由于其高电流和高电压承受能力,非常适合用于电源开关电路。其低导通电阻和高电流能力使其在电源管理模块中能够高效地进行开关操作,从而提高电源转换效率和系统稳定性。

2. **电机驱动**:在电机驱动应用中,IRF9Z20PBF-VB 可以用作高侧开关控制电机的启停和反向操作。其高电流处理能力和较低的导通电阻确保了电机驱动系统的高效能和可靠性,适用于各种电动工具和工业电机控制。

3. **高电压开关**:该MOSFET 的高漏源极电压使其适用于高电压开关应用,如高电压电源的控制和保护电路。IRF9Z20PBF-VB 的高电流能力和良好的开关特性使其能够在要求高电压和大电流的环境中稳定工作。

4. **逆变器和转换器**:在逆变器和电力转换器中,IRF9Z20PBF-VB 可以用作负载开关和高侧开关,帮助提高系统的转换效率。其Trench技术工艺使其在高功率应用中表现出色,特别是在要求高电流和高电压处理的逆变器系统中。

IRF9Z20PBF-VB 的高电流承受能力和低导通电阻使其在各种高电流和高电压应用中表现优异,为这些领域提供了高效、可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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