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IRF9Z10-VB 产品详细

产品简介:

IRF9Z10-VB 产品简介
IRF9Z10-VB 是一款高电流 P 沟道功率 MOSFET,封装为 TO220。它设计用于中高电压负载应用,具有 -60V 的漏源击穿电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),适合用于各种高电压开关和调节电路。阈值电压 (Vth) 为 -1.7V,导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 74mΩ,在 VGS=10V 时为 62mΩ。最大漏极电流 (ID) 为 -40A。IRF9Z10-VB 采用先进的 Trench 技术,提供低导通损耗和优异的开关性能,是高电流、高电压应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A 62mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -60V -1.7V -40A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-P
IRF9Z10-VB 参数说明
- **封装类型**: TO220
- **沟道配置**: 单 P 沟道
- **漏源击穿电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 74mΩ @ VGS=4.5V
- 62mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -40A
- **技术**: Trench
- **耗散功率**: 94W(最大)
- **结与环境的热阻 (RθJA)**: 62°C/W
- **结与壳体的热阻 (RθJC)**: 1.6°C/W
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C
- **开关时间**: 开启时间约为 50ns,关闭时间约为 80ns

领域和模块应用:

应用领域和模块示例
1. **高电流电源开关**
IRF9Z10-VB 适用于需要处理高电流的电源开关应用,如 DC/DC 转换器和电源管理模块。其高电流能力和低导通电阻使其能在高负载条件下稳定运行,提供高效的电源开关解决方案。

2. **电动汽车**
在电动汽车的电池管理系统中,该 MOSFET 可用作高电流负载开关,保证电池保护和功率转换的可靠性。其高电流处理能力使其适合于电池系统的高效管理。

3. **太阳能逆变器**
IRF9Z10-VB 可以用于太阳能逆变器中的高电流负载开关和电压调节。其优异的开关性能和低导通损耗使其适合于高功率光伏逆变器中的应用。

4. **工业电机控制**
在工业电机控制系统中,该 MOSFET 能够有效驱动高电流电机负载,适用于需要高电压和高电流控制的工业应用,确保电机和控制系统的高效运行。

5. **电源保护**
IRF9Z10-VB 可用于电源保护电路中的过流保护和负载开关,防止电路组件的损坏,并提供稳定的电源保护,提升整体系统的安全性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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