产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
|
18/40mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-N+P |
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**
- **封装**:SOP8
- **配置**:双 N 沟道 + P 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:±30V
- **栅极电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:
- N 沟道:1.6V
- P 沟道:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N 沟道 @ VGS = 4.5V:24mΩ
- N 沟道 @ VGS = 10V:18mΩ
- P 沟道 @ VGS = 4.5V:50mΩ
- P 沟道 @ VGS = 10V:40mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**:±8A
- **技术**:Trench
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **封装特性**:SOP8 封装提供了较小的体积,适用于空间受限的应用。
**
领域和模块应用:
**
1. **DC-DC 转换器**
IRF9952TRPBF-VB 由于其双 MOSFET 配置,非常适合用于 DC-DC 转换器中。N 沟道 MOSFET 可用作高边开关,而 P 沟道 MOSFET 则适合低边开关。其高效的开关性能和低导通电阻有助于提高转换器的效率和稳定性。
2. **电源管理系统**
在电源管理系统中,该 MOSFET 能够在需要高效电源开关的应用中发挥作用,如电源分配和电源保护模块。其双通道配置提供了更大的灵活性,可以简化电路设计和优化性能。
3. **负载开关**
IRF9952TRPBF-VB 适用于负载开关应用,例如用于开关电机或其他负载。在这些应用中,N 沟道 MOSFET 可以作为高侧开关,P 沟道 MOSFET 可以作为低侧开关,确保可靠的开关操作和低功耗。
4. **功率管理和保护电路**
由于其高电流处理能力和低导通电阻,该 MOSFET 适用于功率管理和保护电路中,如过流保护和过压保护模块。它可以在高电流条件下稳定工作,保护电路免受过载和电压尖峰的影响。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性