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IRF9630-VB 产品详细

产品简介:

IRF9630-VB MOSFET 产品简介

IRF9630-VB 是一款高电压单P沟道功率MOSFET,采用TO220封装。该MOSFET 的漏源极电压(VDS)高达-200V,使其适用于高电压环境中的开关和控制应用。IRF9630-VB 的栅源极电压(VGS)为±20V,具有较高的开启阈值电压(Vth)为-3.5V,确保在较高的栅极电压下也能稳定工作。其导通电阻(RDS(ON))在VGS为10V时为500mΩ,在4.5V时为648mΩ,能够处理高达-11A的漏极电流。IRF9630-VB 使用Trench技术,提供了高效能和可靠性,适合用于需要高电压和高电流的场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -200V -3.5V -11A 500mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -200V -3.5V -11A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -200V -3.5V -11A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-P
IRF9630-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: -200V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**: -3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 648mΩ @ VGS = 4.5V
- 500mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -11A
- **技术类型**: Trench技术

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **高电压电源管理**:由于IRF9630-VB 的高电压耐受能力,它非常适合用于高电压电源管理系统中的开关和保护电路。特别是在电源转换器和稳压器中,该MOSFET能够高效地处理大电流并确保系统稳定性。

2. **电机驱动控制**:在电机驱动应用中,该MOSFET能够控制高电压电机的启动和停止。其高电压承受能力和适中的导通电阻使其适合用于高功率电机控制系统,如工业机械和电动工具。

3. **高电压逆变器**:IRF9630-VB 可以用于高电压逆变器中,将直流电转换为交流电。由于其高漏源极电压和低导通电阻,该MOSFET 能够提高逆变器的效率和可靠性,适用于太阳能逆变器和电力转换器。

4. **电池保护系统**:在电池保护应用中,特别是高电压电池组,IRF9630-VB 的高电压处理能力和良好的开关性能使其适合用于保护电池组免受过压和过流的影响,确保系统的安全性和长寿命。

IRF9630-VB 的高电压和高电流特性使其在多个高电压和高功率应用中表现卓越,为这些领域提供了可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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