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IRF9530PBF-VB 产品详细

产品简介:

产品简介 - IRF9530PBF-VB
IRF9530PBF-VB 是一款采用 TO-220 封装的单 P 沟道增强型功率 MOSFET,专为高电压和大电流应用设计。它能够承受最高 -100V 的漏极源极电压 (VDS),非常适合在负载开关和高压电源管理应用中使用。该器件的阈值电压 (Vth) 为 -2V,并采用了先进的 Trench 技术,具有较低的导通电阻,使其在开关效率和热管理方面表现出色。IRF9530PBF-VB 的最大漏极电流 (ID) 为 -18A,导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 178mΩ,在 VGS=10V 时为 167mΩ。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -100V -2V -18A 167mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -100V -2V -18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -100V -2V -18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-P
参数说明
- **型号**: IRF9530PBF-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 P 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -100V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 178mΩ @ VGS=4.5V
- 167mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -18A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域及模块
1. **逆变器与电源管理**: IRF9530PBF-VB 由于其高耐压和低导通损耗,广泛应用于电源管理系统和逆变器电路中。在这些系统中,MOSFET 充当开关器件,帮助实现高效的能量转换和电压调节。

2. **电池管理系统**: 在电池管理系统中,IRF9530PBF-VB 由于其 P 沟道特性,适合于低端开关设计。它可以帮助控制充放电路径,并提供过压和过流保护,延长电池寿命,提升安全性。

3. **负载开关与电机控制**: 该 MOSFET 的高电流承载能力和较低导通电阻使其成为电机驱动和负载开关的理想选择,尤其适用于工业设备的电机控制和负载切换,能有效减少功耗并提升系统可靠性。

4. **工业自动化设备**: IRF9530PBF-VB 可用于工业自动化控制模块中,例如电源分配、驱动器模块和控制开关系统。其高压能力和低损耗特性确保了设备的稳定运行和能效。

IRF9530PBF-VB 结合了高电流处理能力和低导通损耗,使其适用于广泛的高压应用场景,在现代电力系统和控制模块中具有显著的优势。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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