产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
|
660mΩ |
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
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详细参数说明:
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:500V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:660mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:13A
- **功率耗散 (Ptot)**:125W
- **技术**:平面MOSFET技术
- **结温 (Tj)**:最高175°C
- **传输特性**:ID vs. VGS 和VDS vs. ID具有典型的线性响应,提供较高的开关速度。
- **输入电容 (Ciss)**:高达1700pF,适合大功率应用中的快速开关。
领域和模块应用:
应用领域和模块举例:
IRF840-VB MOSFET凭借其高电压承受能力和适中的电流处理能力,广泛应用于电力电子设备中。以下是该器件常见的应用领域和模块:
1. **开关电源 (SMPS)**:
IRF840-VB常用于开关模式电源中的高压侧开关。由于其能够承受500V的漏源电压,适合用于高压直流输入或者AC-DC电源转换中的整流和开关应用。
2. **电机驱动控制**:
在工业和消费类设备中的电机驱动模块中,IRF840-VB MOSFET可作为功率开关元件用于控制电机的启动、停止和速度调节,特别是在需要处理高电压时。
3. **不间断电源 (UPS)**:
在不间断电源中,IRF840-VB可用于直流-直流转换和逆变器模块。其高耐压特性确保了在高压条件下的稳定性和效率。
4. **照明控制和调光电路**:
在工业照明系统中,IRF840-VB MOSFET常用于调光模块中,通过快速开关控制灯具亮度,特别是用于高压卤素灯或LED照明的驱动电路。
IRF840-VB的高电压、高电流特性使其适合在各种高功率转换电路中扮演关键角色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性