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IRF840-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:
IRF840-VB是一款高压N沟道功率MOSFET,采用TO220封装,适用于多种功率转换和开关应用。该器件的VDS为500V,能够在高电压条件下稳定运行,同时具有13A的连续漏极电流能力。IRF840-VB的栅源电压(VGS)为±30V,门限电压为3.1V,并且在VGS=10V时,其导通电阻RDS(ON)为660mΩ。这些特点使其非常适合高效率的开关应用,并采用平面技术设计,确保良好的热性能和耐用性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A 660mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:500V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:660mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:13A
- **功率耗散 (Ptot)**:125W
- **技术**:平面MOSFET技术
- **结温 (Tj)**:最高175°C
- **传输特性**:ID vs. VGS 和VDS vs. ID具有典型的线性响应,提供较高的开关速度。
- **输入电容 (Ciss)**:高达1700pF,适合大功率应用中的快速开关。

领域和模块应用:

应用领域和模块举例:
IRF840-VB MOSFET凭借其高电压承受能力和适中的电流处理能力,广泛应用于电力电子设备中。以下是该器件常见的应用领域和模块:

1. **开关电源 (SMPS)**:
IRF840-VB常用于开关模式电源中的高压侧开关。由于其能够承受500V的漏源电压,适合用于高压直流输入或者AC-DC电源转换中的整流和开关应用。

2. **电机驱动控制**:
在工业和消费类设备中的电机驱动模块中,IRF840-VB MOSFET可作为功率开关元件用于控制电机的启动、停止和速度调节,特别是在需要处理高电压时。

3. **不间断电源 (UPS)**:
在不间断电源中,IRF840-VB可用于直流-直流转换和逆变器模块。其高耐压特性确保了在高压条件下的稳定性和效率。

4. **照明控制和调光电路**:
在工业照明系统中,IRF840-VB MOSFET常用于调光模块中,通过快速开关控制灯具亮度,特别是用于高压卤素灯或LED照明的驱动电路。

IRF840-VB的高电压、高电流特性使其适合在各种高功率转换电路中扮演关键角色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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