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IRF830PBF-VB 产品详细

产品简介:

IRF830PBF-VB MOSFET 产品简介

IRF830PBF-VB 是一款高耐压的 N-channel MOSFET,采用 TO220 封装,专为高电压应用设计。它具有 600V 的漏源电压(VDS)和 ±30V 的栅源电压(VGS)范围,能够在高电压环境中稳定工作。该 MOSFET 的阈值电压(Vth)为 3.5V,确保了在较高栅极电压下的可靠导通。其在 VGS 为 4.5V 时的导通电阻(RDS(ON))为 1070mΩ,降低至 780mΩ 在 VGS 为 10V 时,适合处理中等电流需求。最大连续漏电流(ID)为 8A,能够满足大多数中等功率应用的要求。采用 Plannar 技术,IRF830PBF-VB 提供了良好的电气性能和稳定性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装形式:** TO220
- **配置:** 单 N-channel MOSFET
- **VDS(漏源电压):** 600V
- **VGS(栅源电压):** ±30V
- **Vth(栅极阈值电压):** 3.5V
- **RDS(ON):** 1070mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON):** 780mΩ @ VGS = 10V
- **ID(连续漏电流):** 8A
- **技术:** Plannar 技术,提供稳定的电气性能和高耐压能力

领域和模块应用:

应用示例

1. **高电压开关:**
IRF830PBF-VB 的高耐压特性使其非常适合用于高电压开关应用。在电源开关、电力逆变器和高压电源模块中,它能够有效地控制高电压电路,提供可靠的开关功能。

2. **电力逆变器:**
在电力逆变器中,该 MOSFET 能够处理较高的电压,并提供稳定的开关性能。由于其高漏源电压和相对较低的导通电阻,它在逆变器的高电压开关和功率调节应用中表现良好。

3. **电动工具:**
IRF830PBF-VB 也可以用于电动工具的电源管理系统中。其高耐压特性和较高的连续漏电流能力使其能够处理电动工具中的高电压和高电流需求。

4. **电机驱动系统:**
在电机驱动系统中,IRF830PBF-VB 能够稳定控制电机的启动和运行。其高耐压和中等导通电阻使其在驱动高电压电机时能够提供有效的电流控制。

IRF830PBF-VB 的高电压耐受性和稳定的开关性能使其在高电压应用、电力逆变器、电动工具和电机驱动系统等领域中表现优异,是可靠的高电压控制解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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