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IRF8113GTRPBF-VB 产品详细

产品简介:

IRF8113GTRPBF-VB MOSFET 产品简介

IRF8113GTRPBF-VB 是一款高性能 N-channel MOSFET,采用 SOP8 封装,专为需要低导通电阻和高电流处理能力的应用设计。它具有卓越的开关性能和低功耗特性,适合用于要求高效电流传输的电源管理和负载控制系统。该 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 30V,栅源电压(VGS)范围为 ±20V,确保了在不同工作条件下的稳定性。阈值电压(Vth)为 1.7V,能够在较低的栅极电压下导通。在 VGS 为 4.5V 时的导通电阻(RDS(ON))为 5mΩ,进一步降低至 4mΩ 在 VGS 为 10V 时,提供了极低的功耗和高效能。其最大连续漏电流(ID)为 18A,适合处理大电流的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

- **封装形式:** SOP8
- **配置:** 单 N-channel MOSFET
- **VDS(漏源电压):** 30V
- **VGS(栅源电压):** ±20V
- **Vth(栅极阈值电压):** 1.7V
- **RDS(ON):** 5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON):** 4mΩ @ VGS = 10V
- **ID(连续漏电流):** 18A
- **技术:** Trench 技术,提供低功耗和高效能的开关性能

领域和模块应用:

应用示例

1. **DC-DC 转换器:**
IRF8113GTRPBF-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器中。它能够有效提高电源转换效率,减少功率损耗,广泛应用于便携设备、电力转换模块以及高效能电源供应器中。

2. **负载开关控制:**
在各种消费电子和工业应用中,这款 MOSFET 可作为负载开关控制器。由于其优异的开关性能和低功耗特性,能够高效地控制负载,适用于电机控制、电源管理和负载开关模块等应用。

3. **电机驱动:**
IRF8113GTRPBF-VB 的高电流能力和低导通电阻使其在电机驱动应用中表现突出。它适合用于各种电机控制系统,例如家用电器、电动工具以及工业自动化设备的电机驱动模块。

4. **电池管理系统:**
由于其低功耗和高效能特性,该 MOSFET 非常适合用于电池管理系统中。在电池的充放电过程中,它能够有效控制电流流动,提升系统效率和电池寿命,广泛应用于移动设备、电动汽车等领域。

通过这些特点,IRF8113GTRPBF-VB 在电源管理、负载控制和电机驱动等领域中表现优异,是高效电流处理和低功耗应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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