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IRF7822TRPBF-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**IRF7822TRPBF-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 SOP8 封装,专为要求低导通电阻和高电流处理能力的应用而设计。该 MOSFET 采用 Trench 技术制造,能够在低电压条件下提供出色的导电性能和高效的开关能力。其设计特性使其非常适合用于需要高效率和高功率密度的电子电路中,适合用于各种开关和功率管理应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

- **型号**:IRF7822TRPBF-VB
- **封装**:SOP8
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏极-源极耐压(VDS)**:30V
- **栅极-源极耐压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ(在 VGS=4.5V 时)
- 4mΩ(在 VGS=10V 时)
- **最大漏极电流(ID)**:18A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **电源管理**:IRF7822TRPBF-VB 在电源管理系统中表现出色,特别是在高效的 DC-DC 转换器和电源开关中。其低导通电阻(RDS(ON))使得功率损耗最小化,提高了系统的能效和稳定性,非常适合在高电流应用中使用。

2. **开关电路**:由于其较低的导通电阻和高电流处理能力,该 MOSFET 是开关电路的理想选择。它可以用在电机驱动电路、负载开关和其他需要高效开关控制的应用中,确保开关操作的高效和可靠。

3. **负载驱动**:在需要驱动大电流负载的场合,如电源保护电路和高功率负载控制中,IRF7822TRPBF-VB 提供了极低的导通电阻和较高的电流承载能力。它可以有效减少功率损耗并降低系统发热,提高系统的整体性能。

4. **消费电子**:在消费电子设备的电源管理模块中,这种 MOSFET 可以用于优化电源效率,提升设备性能和可靠性。其低功耗特性有助于减少能耗,延长设备使用寿命。

5. **汽车电子**:在汽车电子应用中,如电机控制、电灯开关和其他高功率应用,IRF7822TRPBF-VB 能够提供稳定可靠的性能。其高电流能力和低导通电阻确保在汽车环境中的高效能和长时间的稳定运行。

这些应用展示了 IRF7822TRPBF-VB 在多个领域中的重要性和优越性能,特别是在需要高效能、低功耗和高电流处理能力的场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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