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IRF7402UTRPBF-VB 产品详细

产品简介:

一、IRF7402UTRPBF-VB 产品简介
IRF7402UTRPBF-VB 是一款低压N沟道MOSFET,采用SOP8封装,适合在空间有限的设计中使用。该产品具备30V的漏源电压(VDS),同时具有低导通电阻(RDS(ON)),特别适合高效能应用。它的阈值电压(Vth)为1.7V,适合低压驱动控制,配合其Trench技术,在开关速度、效率和散热性能上都表现优异。这使其成为理想的功率转换和电机驱动设备组件,适用于高频率和高效能的电力管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
二、IRF7402UTRPBF-VB 详细参数说明
- **封装类型**:SOP8
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:13A
- **技术**:Trench工艺
- **开关特性**:适合高速开关应用
- **功率损耗**:低导通损耗和热耗散性能优异

领域和模块应用:

三、应用领域及模块示例
1. **电源管理模块**:
IRF7402UTRPBF-VB 在DC-DC转换器中表现突出,尤其是在电源调节和能效要求高的应用中。例如,计算机和服务器的电源模块,可以通过该MOSFET提高整体电源的转换效率,同时保持较低的发热量。

2. **电动机控制系统**:
由于该MOSFET的低导通电阻和较高的电流承载能力,它也适合用于小型电机控制系统,例如在消费类电子设备中的马达驱动。其低损耗特性有助于延长设备的电池续航时间。

3. **负载开关电路**:
IRF7402UTRPBF-VB 的快速开关速度和高效率使其非常适合用于负载开关应用,如便携设备的电路保护模块。当需要快速切换电源或负载时,这种MOSFET能够以较低的功率损耗进行操作,提升设备的可靠性和效能。

4. **消费电子产品**:
该MOSFET 常被用于智能手机、平板电脑等移动设备的电源管理,能够帮助优化这些设备的功耗表现,同时提供较好的温度管理,延长设备寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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