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IRF737LC-VB 产品详细

产品简介:

IRF737LC-VB MOSFET 产品简介:

**IRF737LC-VB** 是一款高电压的 **单级N沟道MOSFET**,专为要求严格的功率开关应用设计。采用TO-220封装,具有 **500V** 的 **漏源电压(VDS)** 和 ±30V 的 **栅源电压(VGS)**。其 **阈值电压(Vth)** 为 **3.1V**,优化了开关效率,并且对栅极驱动要求较低。**RDS(ON)** 在 **10V栅源电压** 下为 **660mΩ**,使其适用于中功率应用,关注效率和开关速度。其 **连续漏电流(ID)** 额定值为 **13A**,并且采用 **平面技术**,提供了良好的高电压开关性能和较低的栅极电荷。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A 660mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:

- **封装:** TO-220
- **配置:** 单级N沟道MOSFET
- **漏源电压(VDS):** 500V
- **栅源电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.1V
- **RDS(ON):** 660mΩ @ VGS = 10V
- **漏电流(ID):** 13A
- **技术:** 平面技术
- **开关速度:** 适中
- **功耗:** 高,因TO-220封装提供良好的散热性能

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领域和模块应用:

应用实例:

1. **电源供应和变换器:**
IRF737LC-VB 非常适用于高电压 **开关电源** 和 **DC-DC变换器**。其 500V 的电压等级和强大的电流处理能力使其适合用于工业和消费类应用中的电源管理,确保可靠性和高效性。

2. **电机控制和逆变器:**
在 **电机驱动器** 和 **逆变器** 中,这款MOSFET的高电压处理能力和低导通电阻使其非常适合控制电感负载,如电机,这些负载需要快速开关和低导通损耗。

3. **照明镇流器:**
该MOSFET可以应用于 **荧光灯镇流器** 和 **LED驱动电路**,在这些应用中,高电压操作和良好的热性能对于稳定和持久的照明解决方案至关重要。

4. **太阳能逆变器和能源系统:**
在 **太阳能逆变器** 和 **可再生能源系统** 中,IRF737LC-VB 可以有效管理高电压,同时高效地开关电源,适合处理能源转换和功率调节。

这些特性使得 IRF737LC-VB 在高电压、中功率应用中具有广泛的适用性,尤其在需要可靠性和热管理的场合表现优异。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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