IRF737LCPBF-VB - VBsemi MOS管制造商

IRF737LCPBF-VB 产品详细

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IRF737LCPBF-VB 是一种高压单N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，设计用于高效的开关应用。其漏源电压（VDS）可高达500V，栅源电压（VGS）为±30V，具有极低的导通电阻（RDS(ON)）为660mΩ@VGS=10V。这款MOSFET的额定电流（ID）为13A，采用平面技术，具备高压和高电流处理能力，非常适用于开关电源、电机驱动、照明和工业电气设备等高压应用场景。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A			660mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A		Plannar

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明

| 参数 | 值 |
|---------------------|----------------------|
| 器件型号 | IRF737LCPBF-VB |
| 封装 | TO-220 |
| 极性 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 500V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.1V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 660mΩ @ VGS=10V |
| 漏极电流 (ID) | 13A |
| 技术 | 平面MOSFET技术 |

领域和模块应用：

应用领域与模块

1. **开关电源（SMPS）**
- IRF737LCPBF-VB 适用于高压开关电源设计中，特别是在AC-DC或DC-DC转换器中，能够在高压下高效开关，降低功率损耗并提高系统效率。

2. **电机驱动**
- 在工业和家用电机驱动中，这款MOSFET能够承受500V的高电压，并在13A的电流下有效驱动电机。尤其适合应用于电机控制器、变频器等高压场景。

3. **照明设备**
- 该器件也常用于高压照明设备如LED驱动器和HID灯具等。其高压处理能力和较低的导通电阻，能够提高电源效率，减少热损耗。

4. **工业电气设备**
- 在工业电气设备，如电加热器和高压继电器等模块中，该MOSFET的高电压和高电流处理能力，能够满足苛刻的工作环境要求，确保设备稳定运行。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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