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IRF734-VB 产品详细

产品简介:

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IRF734-VB是一款高电压N沟道功率MOSFET,封装为TO220,采用传统的Plannar技术。它具有600V的漏极-源极电压(VDS)和±30V的栅极-源极电压(VGS),适用于高电压应用。该MOSFET设计用于高功率和高电压的开关操作,具备稳定的性能和可靠性。IRF734-VB的相对较高导通电阻(RDS(ON))和较低的漏极电流(ID)使其在处理高电压负载时保持高效,是高电压电源和开关应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:
- **封装类型**: TO220
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 600V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1070mΩ @ VGS=4.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 780mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 8A
- **技术**: Plannar

领域和模块应用:

应用领域和模块:
1. **高电压电源开关**:IRF734-VB适用于需要高电压开关控制的应用场景,如高电压电源模块和电力转换器。它能够承受高达600V的电压,使其在高电压电源的开关操作中能够稳定地处理电力。

2. **逆变器系统**:在逆变器系统中,IRF734-VB能够有效地处理高电压和高功率需求。其高电压承受能力和稳定的开关性能使其在太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和其他逆变器应用中表现出色。

3. **电源转换器**:IRF734-VB的高电压耐受性使其适合用于高电压DC-DC转换器。在电源转换过程中,该MOSFET能够有效地控制和转换电力,确保系统的稳定性和高效性。

4. **电力管理系统**:由于其高电压承受能力和可靠的开关特性,IRF734-VB可以用于电力管理系统中。它能够处理高电压负载,适用于电力保护、过压保护和高电压电源管理等应用领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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