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IRF7324TR-VB 产品详细

产品简介:

IRF7324TR-VB 产品简介

IRF7324TR-VB 是一款高性能的双 P 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装,设计用于低电压和高效率的电源开关应用。它具有 -20V 的最大漏源极电压,适用于负电压环境中的电源管理和负载开关。该 MOSFET 使用 Trench 沟槽技术,具有较低的导通电阻(16mΩ @ VGS = 10V),使其在负载开关和电源管理中表现出色。IRF7324TR-VB 的双 P 沟道配置提供了灵活的开关能力,适合多种电路设计需求。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-P+P
IRF7324TR-VB 详细参数说明

- **封装**: SOP8
- **配置**: 双 P+P 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: -20V
- **栅极驱动电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: -1.2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -8.9A
- **技术**: Trench 沟槽技术

领域和模块应用:

应用领域与模块举例

1. **电源管理**:IRF7324TR-VB 的低导通电阻和双 P 沟道设计使其非常适用于电源管理应用。它可以用作 DC-DC 转换器中的开关元件,帮助提高转换效率和系统稳定性,尤其在需要负电压管理的场合中表现尤为出色。

2. **负载开关**:在多通道负载开关应用中,IRF7324TR-VB 能够提供可靠的负载控制。其双 P 沟道配置允许在同一封装中管理多个负载,适用于需要同时控制多个负载的电路,如电源分配和负载切换系统。

3. **电池保护**:该 MOSFET 可用于电池保护电路中,如电池管理系统(BMS)。在充电和放电过程中,IRF7324TR-VB 的高效开关性能有助于保护电池免受过流和过电压的影响,确保电池的安全和稳定运行。

4. **消费电子产品**:在消费电子产品中,如智能手机和平板电脑,IRF7324TR-VB 的紧凑封装和高效开关性能可以用来优化电源管理,减少能量损耗,并实现更高效的电源控制。

5. **汽车电子**:在汽车电子系统中,IRF7324TR-VB 可以用于电动窗、座椅调节器和其他电气控制系统。其双 P 沟道设计使其能够同时管理多个控制信号,提供稳定可靠的开关性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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