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IRF640-VB 产品详细

产品简介:

IRF640-VB 产品简介

IRF640-VB 是一款采用 TO220 封装的 N 沟道 MOSFET,具有 200V 的高漏源极电压额定值。它采用了先进的 Trench 沟槽技术,这使得该器件在高电压应用中具备出色的开关性能和较低的导通电阻。IRF640-VB 的 30A 漏极电流能力和 110mΩ 的低导通电阻,使其在各种需要高电流和高电压的应用场合中表现出色,尤其适用于中高功率的电子系统中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A 110mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
IRF640-VB 详细参数说明

- **封装**: TO220
- **配置**: 单一 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 200V
- **栅极驱动电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 110mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench 沟槽技术

领域和模块应用:

应用领域与模块举例

1. **电源管理**:在开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中,IRF640-VB 的高电压耐受能力和低导通电阻使其非常适合用作开关元件。它能够有效地处理高功率,并提高电源的转换效率,降低能量损耗。

2. **电动机控制**:该 MOSFET 的高漏极电流能力和良好的开关特性使其在电动机驱动电路中表现出色。它可用于控制中型电动机,如电动工具和工业自动化设备中的直流电机,提供稳定的驱动和控制。

3. **功率放大器**:IRF640-VB 在功率放大器电路中也具有广泛应用。其高电压和电流能力使其能够处理较大的信号功率,适用于音频放大器和 RF 功率放大器等领域。

4. **汽车电子系统**:在汽车电子系统中,例如电动窗控制、电动座椅调整等功能中,IRF640-VB 的耐用性和高效的开关性能可以保证系统的可靠运行和长寿命。

5. **逆变器**:在太阳能逆变器和其他类型的功率逆变器中,IRF640-VB 的高电压额定值和低导通电阻使其能够在转换直流电到交流电的过程中保持高效率,确保稳定的电力输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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