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IRF542PBF-VB 产品详细

产品简介:

IRF542PBF-VB 产品简介
IRF542PBF-VB是一款高电压N沟道MOSFET,采用TO220封装。它设计用于处理高电压和中等电流应用,具有100V的漏源极电压(VDS)和适中的导通电阻(RDS(ON))。该MOSFET采用沟槽技术(Trench),提供稳定的开关性能和高效能,适合用于各种电源管理和负载开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A 127mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
IRF542PBF-VB 详细参数
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 127mΩ@VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术**: 沟槽(Trench)技术
- **典型应用**: 电源开关、电源管理、负载开关

领域和模块应用:

应用领域与模块
1. **电源开关**: IRF542PBF-VB非常适合用于高电压电源开关应用。其100V的漏源极电压和适中的导通电阻使其能够在DC-DC变换器和AC-DC电源转换器中稳定工作。MOSFET的高耐压和开关性能确保了电源开关的高效和可靠。

2. **电源管理**: 在电源管理系统中,IRF542PBF-VB能够有效地处理高电压电源的开关和调节。MOSFET的高电压承受能力和稳定的导通性能有助于提高电源系统的整体效率,适用于电源调节器和功率管理模块。

3. **负载开关**: 由于其高电压耐受能力和适中的电流处理能力,IRF542PBF-VB也适用于各种负载开关应用。它可以在工业控制系统、家用电器等负载开关场景中提供可靠的开关控制。

4. **开关电源**: 在开关电源(SMPS)设计中,IRF542PBF-VB的高电压耐受能力和有效的开关性能使其成为理想的选择。MOSFET能够处理高功率应用中的电流流动,提高开关电源的工作效率和可靠性。

这些应用示例展示了IRF542PBF-VB在电源开关、电源管理、负载开关和开关电源中的广泛适用性,能够满足各种高电压和中等电流的处理需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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