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IRF3808PBF-VB 产品详细

产品简介:

IRF3808PBF-VB MOSFET 产品简介
IRF3808PBF-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装,并基于先进的沟槽型(Trench)技术。该MOSFET具有高电流处理能力和低导通电阻,能够在80V的漏源电压下工作,提供优异的开关性能和高效能量传输。这款器件特别适用于要求高功率和高电流的应用场景,是电源管理、电机控制和高功率开关应用中的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明
1. **封装类型**:TO-220
2. **配置**:单N沟道
3. **漏源电压(VDS)**:80V
4. **栅源电压(VGS)**:±20V
5. **阈值电压(Vth)**:3V
6. **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3.6mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏极电流(ID)**:195A
8. **技术类型**:沟槽型(Trench)

领域和模块应用:

应用领域及适用模块
1. **高功率电源转换**:IRF3808PBF-VB 的高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于高功率的DC-DC转换器。它能够有效降低功率损耗,提高能量转换效率,广泛应用于工业电源、电力供应系统和计算机电源等需要高效电源管理的设备中。

2. **电机驱动系统**:在电动汽车、家用电器以及工业电机控制系统中,该MOSFET 能够处理高电流并提供稳定的电机驱动。其高电流承载能力确保了电机控制系统的高效和可靠运行,适用于需要高功率开关的应用场景。

3. **高功率开关应用**:由于其低RDS(ON) 和高电流处理能力,IRF3808PBF-VB 是高功率开关应用中的理想选择。它可以用于高功率的电源开关、逆变器和高效电池管理系统,能够提供高效的开关操作和能量传输。

4. **电池管理系统(BMS)**:在电池管理系统中,尤其是电动汽车和大型储能系统,该MOSFET 可用于高效的充放电控制。其高电流能力和低导通电阻能够提供稳定的电流控制和保护功能,确保系统的安全性和高效性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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