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IPP90R500C3-VB 产品详细

产品简介:

一、IPP90R500C3-VB 产品简介

IPP90R500C3-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,封装形式为TO220。该MOSFET 具备900V的击穿电压,非常适合高电压应用。它采用了先进的超级结(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技术,能够在高电压条件下保持较低的导通电阻,确保高效的电流控制和功率转换。这款MOSFET 的设计使其在高功率、稳压和开关电源应用中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 15A 420mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、IPP90R500C3-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**:900V
- **栅极驱动电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:420mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:15A
- **技术**:超级结(SJ)多重外延(Multi-EPI)
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C

领域和模块应用:

三、应用领域和模块

1. **高压开关电源**:IPP90R500C3-VB 的900V击穿电压使其非常适合用于高压开关电源。它能够处理高电压输入,并提供高效的电流转换,适用于需要高耐压的电源管理系统。

2. **工业电力模块**:在工业电力模块中,该MOSFET 的高电压能力和稳定性能对于高压电源的控制至关重要。它可以用于驱动高功率负载并提供稳定的电源输出。

3. **功率逆变器**:在功率逆变器应用中,IPP90R500C3-VB 的高击穿电压和低导通电阻使其能够处理来自电池或其他高电压源的输入电压,确保高效的功率转换和系统稳定性。

4. **电池管理系统 (BMS)**:该MOSFET 可以在电池管理系统中用于高电压电池组的保护和控制,确保在充电和放电过程中提供可靠的开关控制,并减少功率损耗。

5. **高压负载开关**:在需要高电压负载开关的应用中,例如高压电源控制或电气隔离,IPP90R500C3-VB 能够提供必要的电流承载能力和低导通电阻,保证系统的安全性和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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