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IPP65R660CFD-VB 产品详细

产品简介:

一、IPP65R660CFD-VB 产品简介
IPP65R660CFD-VB 是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装,采用Super Junction(SJ)技术中的多重外延(Multi-EPI)工艺制造。这款MOSFET具有高达700V的漏源电压(VDS),适用于高电压环境。其导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为600mΩ,能够承受最大10A的漏极电流(ID)。这使得IPP65R660CFD-VB 特别适合于需要高电压且对导通电阻要求相对较低的应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 10A 600mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 10A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 10A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、IPP65R660CFD-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO-220
- **沟道配置**:单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:700V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:600mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:10A
- **功耗**:取决于实际散热条件和应用环境
- **工作温度范围**:广泛的工作温度范围,具体依实际应用而定
- **技术**:Super Junction (SJ) 多重外延(Multi-EPI)

领域和模块应用:

三、IPP65R660CFD-VB 应用领域和模块
1. **高电压开关电源**:IPP65R660CFD-VB 的700V耐压能力使其适合用于高电压开关电源(SMPS)设计。虽然其导通电阻相对较高,但在高电压应用中依然能够提供可靠的开关性能,适用于高功率电源转换器的主开关部分。

2. **光伏逆变器**:在光伏发电系统中,逆变器处理的电压通常很高。IPP65R660CFD-VB 的高耐压特性和良好的电流承受能力,使其成为光伏逆变器中的理想选择,有助于确保系统的稳定性和效率。

3. **电机驱动模块**:对于需要在高电压下驱动电机的应用,IPP65R660CFD-VB 提供了高电压保护和相对较高的电流处理能力,适用于高压电机驱动系统的开关模块。

4. **高压电源管理**:该MOSFET 可以用于各种高压电源管理系统,如不间断电源(UPS)和电池管理系统。尽管其导通电阻较高,但在高电压环境中,依然能够提供可靠的性能,适合高压电源的稳定管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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