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IPP50N10S3L-16-VB 产品详细

产品简介:

IPP50N10S3L-16-VB MOSFET 产品简介

IPP50N10S3L-16-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用 TO220 封装,专为高电压和高电流应用设计。该MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 100V,能够处理高达 100A 的漏极电流(ID)。其栅极阈值电压(Vth)为 2.5V,使其在较低的栅源电压下也能有效开关。MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 10V 时为 9mΩ,在 VGS 为 4.5V 时为 20mΩ。结合了先进的沟槽技术(Trench),IPP50N10S3L-16-VB 提供了卓越的开关速度和低功率损耗,适用于各种高功率和高效率的电源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
IPP50N10S3L-16-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: 沟槽技术 (Trench)
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 150W
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C
- **开关速度**: 快速开关
- **电容参数**: 低输入电容和输出电容,优化开关性能
- **抗冲击能力**: 适应严苛环境条件

领域和模块应用:

IPP50N10S3L-16-VB 应用领域与模块举例

1. **电源管理系统**
在电源管理系统中,IPP50N10S3L-16-VB 可作为开关器件,处理高电压和高电流的电源开关任务。它的低导通电阻和高电流能力使其在电源分配和电源转换器中表现优异,有助于提高系统效率并减少能量损耗。

2. **电机驱动**
在电机驱动应用中,尤其是需要处理高电流的直流电机和步进电机控制中,该MOSFET 能够提供高效的开关控制。其高电流处理能力和低功耗特性可以有效提升电机的性能和响应速度。

3. **功率逆变器**
在功率逆变器应用中,IPP50N10S3L-16-VB 能够将直流电源转换为交流电源。其高电压承受能力和低导通电阻确保了逆变器的高效能和稳定性,适合用于太阳能逆变器、风力发电系统及其他需要高功率转换的场合。

4. **高功率DC-DC转换器**
在高功率DC-DC转换器中,该MOSFET 作为关键开关器件,可实现高效的电源转换。其低导通电阻和快速开关特性优化了转换效率,降低了功率损耗,适合于要求高效率的应用环境。

5. **电池管理系统**
在电池管理系统(BMS)中,尤其是处理高电压和高电流的电池系统中,IPP50N10S3L-16-VB 可用作电池开关控制器。其优异的导通电阻和高电流能力能优化电池性能,提高系统的安全性和可靠性。

通过其优越的开关性能和高电流处理能力,IPP50N10S3L-16-VB 在电源管理、电机驱动、功率逆变器等多个高功率应用中都能够发挥关键作用,确保系统的高效运行和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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