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IPP25N06S3L-22-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

IPP25N06S3L-22-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220封装。这款MOSFET 具有60V的最大漏源电压,适合中等电压应用。其阈值电压为1.7V,允许在较低的栅源电压下进行开关操作。导通电阻在VGS=4.5V时为13mΩ,在VGS=10V时为11mΩ,提供了较低的功耗和热损耗。最大漏极电流为60A,使其在高电流应用中表现优异。IPP25N06S3L-22-VB 采用先进的沟槽技术(Trench),确保了优秀的开关性能和热管理能力,适用于各种需要高电流处理和高效率的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **最大漏源电压(VDS)**:60V
- **最大栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS=4.5V 时为 13mΩ
- VGS=10V 时为 11mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:60A
- **技术类型**:沟槽MOSFET(Trench)
- **工作温度范围**:-55°C 至 +175°C
- **封装引脚配置**:3引脚(Drain、Gate、Source)

领域和模块应用:

三、适用领域与模块示例

1. **开关电源(SMPS)**:IPP25N06S3L-22-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于开关电源中。它能够有效地处理高电流负载,并且在开关过程中保持低功耗,从而提高电源的整体效率和稳定性。

2. **电动工具和马达驱动**:在电动工具和电机驱动系统中,该MOSFET 能够处理较大的电流负载。其低导通电阻确保了高效能和稳定运行,适合用于高功率电机的开关控制。

3. **汽车电子系统**:IPP25N06S3L-22-VB 适用于汽车电子系统,如电动窗、风扇控制和座椅调节器。它的高电流承载能力和低功耗特性提高了这些系统的可靠性和性能。

4. **电池管理系统(BMS)**:该MOSFET 在电池管理系统中应用广泛,特别是在锂电池保护电路中。它能够有效地管理电池的充放电过程,提供高效的电流控制,提升系统的稳定性和安全性。

5. **逆变器和UPS系统**:IPP25N06S3L-22-VB 可以在逆变器和不间断电源(UPS)系统中使用。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够高效地处理电力转换,提高系统的稳定性和可靠性,确保在电力中断时能够稳定供电。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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