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IPP100N08N3 G-VB 产品详细

产品简介:

IPP100N08N3 G-VB MOSFET 产品简介:
IPP100N08N3 G-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装,具有80V的漏源电压(VDS)和100A的漏极电流(ID)。这款MOSFET采用Trench技术,设计用于高电流和低导通电阻的应用。其导通电阻(RDS(ON))分别为9mΩ(VGS=4.5V)和7mΩ(VGS=10V),能够在不同的栅源电压下提供优异的性能。这使得它非常适合需要高效率和低功耗的电源管理和开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:80V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:100A
- **技术**:Trench
- **工作温度范围**:通常在-55°C至+175°C
- **栅极电荷(Qg)**:典型值为90nC,确保高效快速的开关响应
- **功率耗散**:150W

领域和模块应用:

适用领域及模块举例:
1. **电源管理系统**:IPP100N08N3 G-VB的低导通电阻特性使其在电源管理系统中表现出色,尤其是在高电流电源开关和DC-DC转换器中。其高电流处理能力和低功耗特性确保系统的高效率和稳定性,广泛应用于工业电源和计算机电源模块。

2. **电动汽车(EV)**:在电动汽车的电源系统和电池管理系统中,该MOSFET的高电流承载能力和低导通电阻特性使其适合用于功率转换和开关应用。例如,在电动汽车的充电模块和电池控制模块中,能有效减少能量损耗,提升整体系统效率。

3. **开关电源(SMPS)**:IPP100N08N3 G-VB可以用于开关电源中的主开关或同步整流器。其低RDS(ON)确保在高频开关操作下具有最低的功耗和热量积累,适合应用于电视、电源适配器和其他消费电子产品的开关电源设计。

4. **工业设备和电机驱动**:在工业设备和电机驱动系统中,该MOSFET能够处理大电流,适合用于逆变器和PWM控制电路。其高电流能力和低功耗特性确保电机驱动的高效能和可靠性,尤其适用于高功率电机和工业自动化系统。

总之,IPP100N08N3 G-VB MOSFET因其高电流能力和低导通电阻,广泛应用于电源管理、电动汽车、开关电源以及工业电机控制等领域,能够有效提升系统效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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