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IPP062NE7N3 G-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**IPP062NE7N3 G-VB** 是一款高性能N沟道MOSFET,采用TO220封装。该MOSFET使用了先进的Trench技术,设计上旨在提供优异的电气性能,适用于高电压和高电流的应用场景。其低导通电阻和高耐压特性使其在需要高效能和高可靠性的电子系统中表现出色,尤其是在电源管理和功率控制领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: IPP062NE7N3 G-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道 (Single-N-Channel)
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 80V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **电源转换器**:
IPP062NE7N3 G-VB非常适合用于高效的电源转换器,如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。其低RDS(ON)和高ID特性有助于减少功率损耗,提高整体系统的效率,尤其适合要求高电流和高效率的电源设计。

2. **电动汽车**:
在电动汽车的电池管理系统和驱动控制系统中,该MOSFET的高耐压和低导通电阻使其成为理想的选择。它能够处理高电流负载,提高电池充放电效率和电动汽车的总体性能。

3. **功率放大器**:
在功率放大器应用中,IPP062NE7N3 G-VB可以用于高功率开关控制,如音频放大器和射频功率放大器。其卓越的开关性能和高电流处理能力能够提供稳定的功率输出,保证了放大器的高效运作。

4. **电机控制**:
由于其高漏极电流能力和低导通电阻,该MOSFET适合用于电机驱动系统中的高电流开关。它能够有效地控制电机的启动、速度调节和方向控制,提高电机驱动系统的效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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