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IPP039N04L G-VB 产品详细

产品简介:

一、IPP039N04L G-VB 产品简介
IPP039N04L G-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,封装为TO220。它专为高电流和高效率应用设计,提供了40V的最大漏源电压和110A的高漏极电流能力。该MOSFET的栅源电压范围为±20V,栅极阈值电压为2.5V,导通电阻为6mΩ(在VGS=10V时)。采用Trench技术,使得该MOSFET在开关性能和导电性能上表现优异。它特别适用于需要高电流处理和低能量损耗的应用场景,提供了极好的功率管理解决方案。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 40V 2.5V 110A 6mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 40V 2.5V 110A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 40V 2.5V 110A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、IPP039N04L G-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:40V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 7mΩ@VGS=4.5V
- 6mΩ@VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:110A
- **技术**:Trench(沟槽技术)
- **特性**:低导通电阻、高电流承载能力、优异的开关性能,适合高功率应用。

领域和模块应用:

三、IPP039N04L G-VB 的应用领域和模块举例

1. **电源管理系统**:在电源管理系统中,IPP039N04L G-VB 可以作为高电流开关使用,提供高效的电源转换和管理。其低导通电阻和高电流能力有助于提高电源系统的整体效率,并减少能量损耗,确保系统的稳定性和可靠性。

2. **电动汽车驱动系统**:在电动汽车的电池管理和电机驱动系统中,IPP039N04L G-VB 的高电流处理能力和低能量损耗能够有效支持电池和电机的高效工作。其低导通电阻有助于提升电动汽车的能效和续航能力,同时确保系统的安全性和稳定性。

3. **高功率DC-DC转换器**:在高功率DC-DC转换器中,该MOSFET 的低导通电阻和高电流能力使其成为理想的功率开关元件。它能高效地进行功率转换,广泛应用于大功率电子设备、数据中心和服务器等领域,满足高效率和高功率的需求。

4. **工业电源模块**:在工业电源模块中,IPP039N04L G-VB 能够处理高电流和高电压应用。其高电流承载能力和优异的开关性能使其适用于工业电力管理系统中的开关元件,确保系统的稳定性和高效能,满足各种工业控制和电力管理需求。

IPP039N04L G-VB 以其高电流处理能力和低导通电阻,在多个高功率应用中提供了优异的性能,能够有效支持高效能电源管理和功率转换应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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