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IKP20N60T-VB 产品详细

产品简介:

IKP20N60T-VB 产品简介

IKP20N60T-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,专为高电压应用设计。其最大漏源电压 (VDS) 可达 650V,漏极电流 (ID) 达 20A。该 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技术,提供较高的耐压性能和可靠性,适用于需要高电压处理和高功率开关的应用。IKP20N60T-VB 具有较高的导通电阻 (RDS(ON)),适合用于各种功率管理和高电压控制场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
IKP20N60T-VB 参数说明

- **封装类型**: TO220
- **沟道配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI 技术
- **功率损耗**: 高电压与高功率适应能力

领域和模块应用:

IKP20N60T-VB 的应用领域和模块

1. **高电压开关电源**:IKP20N60T-VB 适用于高电压开关电源系统中,能够承受高达 650V 的漏源电压。这使其非常适合在高电压环境中进行高效的电源开关控制,确保电源系统的稳定性和可靠性。

2. **电机控制**:在高电压电机驱动系统中,IKP20N60T-VB 可以用作电机控制开关。其能够处理较大的电流和高电压,非常适合电动汽车、电动工具等需要高电压和高功率的应用。

3. **功率放大器**:IKP20N60T-VB 的高耐压性能使其适用于功率放大器电路,例如音频放大器和射频放大器。这类应用要求 MOSFET 能够处理高电压信号并提供稳定的功率输出。

4. **照明系统**:该 MOSFET 也可以用于高电压照明系统中,例如工业和商业照明应用。IKP20N60T-VB 能够高效控制大功率灯具的开关操作,提供可靠的照明解决方案。

5. **电源保护**:在电源保护电路中,IKP20N60T-VB 可以作为开关元件,帮助防止电源过压或短路情况。其高电压处理能力确保电源系统的安全性和稳定性,保护电路免受潜在的电气损害。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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