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IKP15N65H5-VB 产品详细

产品简介:

一、IKP15N65H5-VB 产品简介

IKP15N65H5-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,专为高电压应用设计。其漏源电压(VDS)高达 650V,使其适合在高电压环境中使用。该 MOSFET 具有 20A 的最大漏极电流(ID),栅源电压(VGS)为 ±30V,阈值电压(Vth)为 3.5V。其导通电阻(RDS(ON))为 160mΩ(@VGS=10V),采用 SJ_Multi-EPI(超级结多层外延)技术,提供低导通损耗和高开关效率,非常适合用于电源转换、电机驱动和其他高压应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、IKP15N65H5-VB 详细参数说明

1. **封装类型**:TO220
2. **配置**:单 N 沟道
3. **漏源电压 (VDS)**:650V
4. **栅源电压 (VGS)**:±30V
5. **阈值电压 (Vth)**:3.5V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 160mΩ @ VGS=10V
7. **漏极电流 (ID)**:20A
8. **技术**:SJ_Multi-EPI(超级结多层外延技术)
9. **最大功率耗散**:75W
10. **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C
11. **最大脉冲电流**:80A

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

1. **电源转换器(AC-DC、DC-DC)**:
IKP15N65H5-VB 适用于高压电源转换器,包括 AC-DC 和 DC-DC 电源模块。其高达 650V 的漏源电压和较低的导通电阻,使其在高电压转换应用中表现优异,能够有效减少能量损耗,提高转换效率。这使其成为工业电源和电动汽车充电站等应用的理想选择。

2. **电机驱动器**:
在电机驱动应用中,如步进电机和直流电机驱动器,IKP15N65H5-VB 能够提供稳定的高电压开关控制。其高电压耐受能力和低导通电阻确保了电机驱动系统的高效运行,特别是在高功率电机控制系统中。

3. **工业自动化**:
该 MOSFET 适用于工业自动化设备中的高压开关应用,例如在自动化控制系统和PLC控制器中。IKP15N65H5-VB 能够处理高电压信号,同时保持较低的开关损耗,从而提高系统的整体性能和可靠性。

4. **家电与消费电子**:
在家用电器如空调、洗衣机及其他大型家电产品中,IKP15N65H5-VB 可以用作电源管理和控制电路中的开关组件。其高电压和高电流能力保证了这些设备在高负载和高电压环境中的稳定运行。

IKP15N65H5-VB 以其高电压能力和低导通电阻,为高压应用中的电源管理、电机驱动和工业控制提供了可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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