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HYG170ND03LA1C1-VB 产品详细

产品简介:

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HYG170ND03LA1C1-VB是一款高性能双N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)-B封装,专为需要高效能和低导通电阻的应用设计。此MOSFET配置为双N沟道结构,适合用于高频、高功率的电源管理和开关应用。它具有30V的最大漏源电压(VDS),±20V的栅源电压(VGS),以及1.7V的阈值电压(Vth)。HYG170ND03LA1C1-VB利用先进的沟槽(Trench)技术制造,在VGS为4.5V时导通电阻为20mΩ,在VGS为10V时导通电阻为16mΩ,并能处理高达26A的漏极电流(ID)。其小型DFN封装使其在空间受限的应用中表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N+N 30V 1.7V 26A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N+N 30V 1.7V 26A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3)-B Dual-N+N 30V 1.7V 26A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3)-B Dual-N+N
参数说明:
- **封装**:DFN8(3X3)-B
- **配置**:双N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS=4.5V
- 16mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:26A
- **技术**:沟槽(Trench)技术

领域和模块应用:

应用领域及模块:
1. **高效电源管理**:HYG170ND03LA1C1-VB适用于高效电源管理系统,如开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器。在这些应用中,其低导通电阻和高电流处理能力有助于提高电源转换效率,减少功耗和发热,从而优化电源管理系统的性能。

2. **电动机驱动**:在需要处理中等电流和高频的电动机驱动应用中,如电动工具和小型电动汽车,HYG170ND03LA1C1-VB的双N沟道配置能够有效地驱动电动机,提供可靠的性能和较低的导通损耗。

3. **功率开关**:该MOSFET适用于功率开关模块,例如用于开关电源中的开关元件。其低导通电阻和较高的电流承载能力能够确保功率开关的高效操作,提高整体系统的功率密度和可靠性。

4. **汽车电子**:在汽车电子系统中,如高频开关和小型电源模块,HYG170ND03LA1C1-VB能够处理高电流和高频操作,提供稳定的性能和空间节省的封装解决方案,满足汽车电子的高功率和紧凑设计要求。

HYG170ND03LA1C1-VB凭借其双N沟道结构、高电流承载能力和低导通电阻,适用于高效电源管理、电动机驱动、功率开关和汽车电子等领域,能够在各种高功率和高频应用中提供卓越的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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