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HYG075N10LS1C2-VB 产品详细

产品简介:

一、HYG075N10LS1C2-VB 产品简介

HYG075N10LS1C2-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 DFN8(5x6) 封装,专为高电压和中等电流应用设计。该 MOSFET 最大漏源电压(VDS)为 100V,能够承受高达 65A 的漏极电流。其栅源电压(VGS)范围为 ±20V,阈值电压(Vth)为 2.5V。在 4.5V 栅源电压下,导通电阻(RDS(ON))为 12.36mΩ,而在 10V 栅源电压下进一步降低至 9mΩ。HYG075N10LS1C2-VB 采用先进的 Trench 技术,旨在提供低导通损耗和高效能的电源管理性能,适用于各种高功率开关和电源应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
二、HYG075N10LS1C2-VB 详细参数说明

1. **封装类型**:DFN8(5x6)
2. **配置**:单 N 沟道
3. **漏源电压 (VDS)**:100V
4. **栅源电压 (VGS)**:±20V
5. **阈值电压 (Vth)**:2.5V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12.36mΩ@VGS=4.5V
- 9mΩ@VGS=10V
7. **漏极电流 (ID)**:65A
8. **技术**:Trench (沟槽型)
9. **工作温度范围**:-55°C 到 +175°C
10. **最大脉冲电流**:85A (10us)

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

1. **电源管理系统**:HYG075N10LS1C2-VB 的低导通电阻和高电压承载能力使其非常适合用于电源管理系统。在这种应用中,它能够有效减少功率损耗,提高系统的整体效率,广泛应用于计算机电源模块、通信设备电源和工业电源系统等。

2. **DC-DC 转换器**:该 MOSFET 的低 RDS(ON) 和高电流处理能力使其成为 DC-DC 转换器的理想开关元件。它能够高效处理电流负载,提升转换效率,适用于电源模块、电动汽车电源系统和其他高功率转换应用。

3. **汽车电子系统**:在汽车电子系统中,HYG075N10LS1C2-VB 可以用于电动汽车的电机驱动和电池管理系统。其高电压和高电流承载能力确保了电动汽车的稳定运行,同时提升系统的性能和可靠性。

4. **逆变器**:HYG075N10LS1C2-VB 在逆变器中也发挥着重要作用。其低导通电阻和高电流处理能力使其适合用于高功率逆变器,提供高效的功率转换,适用于太阳能逆变器、UPS 逆变器等应用。

HYG075N10LS1C2-VB 的卓越性能使其在高电压和高电流应用中表现出色,是电力电子系统中的重要组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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