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HYG067N07NQ1P-VB 产品详细

产品简介:

一、HYG067N07NQ1P-VB 产品简介
HYG067N07NQ1P-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,封装形式为TO220,采用先进的沟槽(Trench)技术。这款MOSFET 设计用于高电压和高电流应用,具有极低的导通电阻和出色的开关性能。HYG067N07NQ1P-VB 的高电流承载能力和优良的电气特性使其在电源管理、负载开关和功率转换等领域表现优异,适合需要高效能和高可靠性的电子系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、HYG067N07NQ1P-VB 详细参数说明
- **封装形式**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 5mΩ@VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: 沟槽(Trench)技术

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例
1. **电源管理**:HYG067N07NQ1P-VB 由于其低导通电阻和高电流能力,非常适合用于电源管理系统,如DC-DC转换器和开关电源。这款MOSFET 能够高效地处理大电流负载,提供稳定的电力转换,并减少能量损失,提高系统的整体能效,适用于各种工业和消费电子产品的电源解决方案。

2. **电机驱动**:在电动汽车、电动工具以及工业电机控制系统中,HYG067N07NQ1P-VB 的高电流承载能力和低导通电阻确保电机在高负载下的稳定运行。这使其成为电机驱动应用中的理想选择,能够有效提升电机控制系统的性能和可靠性。

3. **负载开关**:作为负载开关,HYG067N07NQ1P-VB 能够处理大功率负载,广泛应用于智能家居、计算机外围设备及其他高功率设备中。其低导通电阻和高电流处理能力使其在负载开关应用中提供高效的性能和可靠的控制,满足高功率设备的需求。

4. **功率转换和放大**:在高功率音响系统和功率放大器等功率转换和放大模块中,HYG067N07NQ1P-VB 的低导通电阻和高电流能力有助于减少能量损失,提高系统的功率处理能力和稳定性。它在高功率应用中的表现尤为优异,能够确保系统的高效能和可靠性。

HYG067N07NQ1P-VB 凭借其卓越的电气特性和高可靠性,为各种高电流和高电压应用提供了优质的解决方案,是提升系统效率和稳定性的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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