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HY4004P-VB 产品详细

产品简介:

一、HY4004P-VB 产品简介

HY4004P-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,专为处理中高电压和大电流应用而设计。该 MOSFET 最大漏源电压(VDS)为 40V,支持高达 180A 的漏极电流。其栅源电压(VGS)范围为 ±20V,阈值电压(Vth)为 3V。在 4.5V 栅源电压下,导通电阻(RDS(ON))为 15mΩ,而在 10V 栅源电压下则显著降低至 2mΩ。HY4004P-VB 采用 Trench 技术,旨在提供高效能的电源管理,优化了导通损耗,使其适合高功率开关和电源管理应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、HY4004P-VB 详细参数说明

1. **封装类型**:TO220
2. **配置**:单 N 沟道
3. **漏源电压 (VDS)**:40V
4. **栅源电压 (VGS)**:±20V
5. **阈值电压 (Vth)**:3V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ@VGS=4.5V
- 2mΩ@VGS=10V
7. **漏极电流 (ID)**:180A
8. **技术**:Trench (沟槽型)
9. **工作温度范围**:-55°C 到 +175°C
10. **最大脉冲电流**:300A (10us)

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

1. **高功率开关电源**:HY4004P-VB 的高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合用于高功率开关电源中。它能够高效地处理大电流负载,减少能量损失,提高电源转换效率,广泛应用于工业电源模块、计算机电源以及大功率充电器等领域。

2. **DC-DC 转换器**:在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 的低 RDS(ON) 和高电流能力使其成为理想的开关元件。HY4004P-VB 可提高转换效率,减少功率损耗,适用于计算机电源模块、通信设备电源和电动汽车电源系统等应用。

3. **电动汽车驱动系统**:由于其高电流处理能力和低导通电阻,HY4004P-VB 适合用于电动汽车的电机驱动系统。它能够处理电机驱动中的大电流负载,确保电动汽车的高效、稳定运行,提升系统的整体性能和可靠性。

4. **逆变器与电源管理**:HY4004P-VB 在逆变器和电源管理系统中也具有重要作用。它可作为高效开关元件处理高功率负载,提供稳定的电源输出,提高系统的整体效率和可靠性。

HY4004P-VB 的出色性能使其在各种高电流和高功率应用中表现优异,是电力电子系统中的重要组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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